埋沟CCD器件参数的测试方法

• 作者: 朱小燕 赵娟 陈真 陈计学
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 埋沟CCD 测试 MOSFET
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.5

摘要

基于传统CCD测试方法的缺点，提出了四端结构MOS管转移特性法。按照BCCD结构，在CCD晶圆的PCM测试区域设计若干四端结构MOS管图形，随芯片制造过程按CCD不同功能区域的掺杂条件进行不同的掺杂，使得MOSFET埋沟能够完全耗尽，实现对CCD工作原理的等效，通过测试MOSFET特性参数，提取CCD的埋沟特性及MPP模式下势阱深度。测试结果表明，MOSFET测试参数与CCD特性一致，所提出的测试方法有效可行。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱小燕		4	9	1.0	3.0
2	赵娟		3	0	0.0	0.0
3	陈真		1	0	0.0	0.0
4	陈计学		4	0	0.0	0.0