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薄膜科学与技术
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主办单位：
南京电子器件研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
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210016
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刊名： 薄膜科学与技术发表期刊： 1991年4期页码:摘要： 在电子束蒸发沉积硅的同时用25KeV氮离子进行轰击，在GH37合金表面合成Si3N4膜，用IR、XRS、XRD、TEM和AES-PRO对膜的组分和结构进行综合分析，表明离子束增强沉积（IBE...
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2. 燃烧火焰法合成金刚石薄膜刊名： 薄膜科学与技术发表期刊： 1991年4期页码:摘要： 本文给出了利用氧一乙炔燃烧火焰在Si(111)衬底上高速率（-80um/h)生长金刚石薄膜的方法，对合成的金刚石薄膜进行了扫描电子显微镜、Raman光谱和X-光衍射分析，并对其结果进行了简要...
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刊名： 薄膜科学与技术发表期刊： 1991年4期页码:摘要： 用Langmuir-Bolodgett技术制备了三联苯液晶T15薄膜，我们发现这种液晶Langmuir-Blodgett膜的沉积方式可以通过参入花生酸加以控制，用小角X射线衍射研究了膜的层状...
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刊名： 薄膜科学与技术发表期刊： 1991年4期页码:摘要： 磁控溅射类金刚石碳膜在可见光及近红外光区域具有良好的透过特性，光学吸收边大约位于0.2-0.3um左右、与天然金刚石的光吸收边位置（0.22um)大致相符，碳膜在λ=632.8nm时的折射率...
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刊名： 薄膜科学与技术发表期刊： 1991年4期页码:摘要： 本文研究了不连续锡膜在可见光区的光学性质，在MaxwelloGarnett(MG)理论中引入自由电子模型很好地解释了实验结果。结果表明：光谱反射峰及其宽度的变化主要由填隙因子Q决定的。
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刊名： 薄膜科学与技术发表期刊： 1991年4期页码:摘要： 等离子体聚合有机化合物六甲基二硅胺烷（HMDSN）讨论了等离子体聚合有机硅薄膜聚合过程和有关机理，在高频等离子体聚合系统中合成的聚合条件是高频电源功率为100V，频率为5.4Hz，用电感偶合...
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刊名： 薄膜科学与技术发表期刊： 1991年4期页码:摘要： 本文采用热丝CVD方法，在丙酮和氢气系统下，用Si和Mo片作衬底进行了合成金刚石薄膜的研究。Raman谱、X射线衍射以及扫描电镜的分析结果表明，制备的金刚石薄膜是多晶金刚石薄膜，当丙酮量为1...
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刊名： 薄膜科学与技术发表期刊： 1991年4期页码:摘要： 本文用计算机对三台国产镀膜机的膜厚分布进行计算，分析了膜厚均匀产生的主要原因；提出了利用计算机帮助寻找蒸发源的最佳排列，以获得在所要求的基材宽度内的最佳膜厚分布。讨论了真空度对膜厚分布的影响...
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刊名： 薄膜科学与技术发表期刊： 1991年4期页码:摘要： 本文报道了ZrO2薄膜横断截面的透射电镜观察结果。ZrO2薄膜通过射频磁控溅射法制备，电镜观察表明，薄膜致密均匀，呈柱状晶生长，通过电子衍射和X光衍射实验确定。为面心立方多晶膜，此外，通过对...
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10. 夹心式a—Si：H光阴极刊名： 薄膜科学与技术发表期刊： 1991年4期页码:摘要： 为了提高a-Si:H光电发射的量子效率，设计了夹心式场增强结构。此结构是SnO2-n-pa-Si:H-AI:Cs:O，并在光阴极动态试验系统上进行了初步实验研究，它的光谱响应复盖整个可见光区...
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刊名： 薄膜科学与技术发表期刊： 1991年4期页码:摘要： 本文报道了在PCVD设备中用固态AlCl3源成功地制备出（TiAl)N膜。结果表明，（TiAl)膜的含Al量与AlCl3源的温度成正比，而膜内C含量则无明显变化。（TiAl)N膜保持了TiN...
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刊名： 薄膜科学与技术发表期刊： 1991年4期页码:摘要： 近年来在陶瓷制备领域中出现了一种引人注目的工艺溶胶-凝胶法，由于这种工艺诸多的优越性，越来越多地应用于制备陶瓷薄膜方面，本文介绍了溶胶-凝胶法制备陶瓷薄膜的工艺过程，并对其研究现状及进一步发...
薄膜科学与技术基本信息
| 刊名 | 薄膜科学与技术 | 主编 | |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 南京电子器件研究所 | 主管单位 | |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 | |
| ISSN | CN | ||
| 邮编 | 210016 | 电子邮箱 | |
| 电话 | 网址 | ||
| 地址 | 南京1601信箱43分箱 |
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