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半导体光电1999年出版文献
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
半导体光电
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本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊
重庆市优秀期刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
4307
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22
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 本文使用通用器件,基于比例-积分-微分(PID)控制技术精心设计了高精度温度控制系统,系统中的PID调节器和相关的辅助电路以及恒温阱,保证了系统的高精度、高稳定性以及实用性.这些辅助电路包括...
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32. 硅基GaN外延层的光致发光谱刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 报道了在硅基上用简便的真空反应法制备出GaN外延层,并对其发光特性进行了研究.发现衬底晶向、生长温度和退火均会对GaN外延层的发光特性产生影响.Si(111)衬底比Si(100)衬底更有利于...
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33. 红外焦平面CMOS单元读出电路刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 研制出一种CMOS差分放大器组成的电容反馈互导放大器(CTIA)型红外焦平面读出电路,其输出端带有相关双取样(CDS)电路.对读出电路的注入效率进行了计算机模拟.介绍了器件的设计与工艺分析....
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34. 蒙特卡洛法模拟半导体高场输运过程刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 讨论了用蒙特卡洛法模拟高电场下半导体内电子输运现象的基本过程.研究了ZnS中电子输运的性质,对电子数目对模拟结果的影响进行了分析.讨论了电子输运中的暂态过程,得出了稳态下的电子分布曲线.
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35. 集成光电探测器系统刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 设计研制了一种集成光电探测器系统,它将光电二极管阵列及信号读出电路集成在同一硅芯片上.本文主要介绍该系统的工作原理及初步测试结果.
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36. 基于啁啾光纤光栅的光栅内传感刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 在以基于光纤布喇格光栅(FBG)传感器的基础上,介绍了啁啾光纤光栅(CFG)的光学特性和基于啁啾光纤光栅的光栅内传感的概念以及在此基础上实现传感的途径.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 实验测量外加电场对SnO2纳米晶簇室温近紫外光吸收的影响程度,得到光吸收变化谱线和光吸收大小变化随外加电场变化曲线.它们均为一种非线性变化规律,在高电场区,光吸收变化值趋于饱和.
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38. 共轭聚合物电致发光器件刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 采用脱氯化氢法合成出可溶性的共轭聚合物-聚(2-甲氧基-5-癸氧基)对苯乙炔(PMODOPV),以PMODOPV为发光层制备了单层电致发光器件,研究了器件的发光特性.器件的启亮电压为5 V,...
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39. 硅表面内铵盐型碳菁膜及光电特性刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 通过硅氧碳键(Si-O-C)将两个内铵盐型碳菁染料在硅表面化学成膜,利用表面增强喇曼光谱(SERS)和X射线光电子能谱(XPS)确证其结构,并测定了键合染料膜硅片的光谱响应和表面光电压.结果...
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40. 场发射显示技术研究进展刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理,讨论了目前这项技术所面临的问题.着重介绍了近两年来在场发射显示技术研究领域的最新进展,包括发光材料的改进、器件寿命的提高、器件结构的改进以...
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41. 无机薄膜电致发光研究进展刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 薄膜电致发光显示技术是主要的平板显示技术之一.文章综述了1996年以来在这一领域的研究进展,着重讨论了提高蓝光亮度的各种方案,并介绍了厚膜电致发光器件和ZnS:Mn器件制备过程的优化及电致发...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 近几年来SiGeC三元合金受到人们的广泛关注,日益成为研究的热点之一.碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性.处于替代位置的碳能缓解SiGe合金的应变,并调节其能带.总...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 阵列波导光栅(AWG)是(密集)波分复用技术的关键器件之一.提高AWG器件的性能和拓展AWG器件的功能是AWG器件发展的两大方向.综述了AWG的串扰、波长响应展宽和偏振特性的优化措施,以及以...
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44. 光纤布喇格光栅的制作技术刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 简单介绍了光纤布喇格光栅(FBG)的原理及光学特性,详细阐述了FBG的制作技术.此外,详细地描述了采用KrF激光器,利用位相掩模法光刻光纤形成FBG的实验.此种方法与其他方法相比,有很多的优...
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45. 双层电极有机电致发光器件刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 主要讨论了在有机双层电致发光器件ITO/TPD/Alq3/Al的Alq3/Al界面处引入绝缘材料Al2O3薄层对器件性能的影响.实验发现具有双层电极Al2O3/Al的器件发光效率比单层电极A...
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46. 电子俘获材料的浓度猝灭刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 利用稀土直接掺杂工艺对电子俘获材料CaS:Eu,Sm进行了配方优化,确定了最佳的激活剂浓度,并结合光谱测试,分析了引起CaS:Eu,Sm红外上转换发光浓度猝灭的原因.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 从衍射光学的角度出发研究了光纤布喇格光栅(FBG)的光学特性,进而采用理想模展开的耦合模理论对光纤布喇格光栅的模场分布进行了详细分析,推导出反射率、布喇格反射波长及反射主峰带宽等特性参数的表...
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48. MOS隧道结的光发射刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 介绍了一种新型的半导体电致发光器件并讨论了提高其发射效率所采取的措施.
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49. 半导体中子嬗变掺杂中的诱生缺陷刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 讨论了半导体材料中子嬗变掺杂(NTD)诱生缺陷的三种原因,即快中子辐射损伤、原子蜕变β辐射及γ辐射反冲造成的位移损伤.简述了由它们引起的缺陷的特性、常用的鉴别手段及相应的退火方法.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 考虑器件实现方面的简单性,提出一种新的混沌方程模型,并通过单向耦合法构成超混沌网络.通过微机模拟表明网络具有丰富的混沌、超混沌现象.进而在单向耦合法基础上,提出参数耦合法,利用此方法,构造成...
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51. CCD图像传感器的高分辨率技术刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 评价了CCD图像传感器与电子束摄像管的性能.分析了高分辨率CCD像感器的技术难点.阐述了解决这些问题的技术措施:双H-CCD移位寄存器、SRD法、CCS法及微透镜技术等.给出了三种新器件的技...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 文章介绍了一种一维光学相关器,在其傅里叶平面内,将液晶电视(LCTV)编码成单极二元纯位相滤波器用于图像实时编码或解码.给出了初步光学实验结果.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 扫描模式问题是长期困扰包括扫描隧道显微镜(STM),原子力显微镜(AFM)在内的扫描探针显微镜(SPM)测量精度和速度的关键问题.理论与实验均表明:"符合扫描"消除了原有扫描模式带来的测量误...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 相移莫尔轮廓测量法是一种光学全场非接触三维测量方法,由于存在机械运动,限制了测量速度、使用寿命及测量的可靠性.采用变光源阴影莫尔测量技术,实现了无机械运动的快速测量.该测量方法可以满足 BG...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 介绍了一种利用数字信号处理技术和虚拟仪器技术实现对微弱光学相位信号进行高精度频率、幅度测量的方法.该方法实现了反馈式数据采样率的设定、自适应数字带通带阻滤波器和全数字相敏检波等功能,并且可以...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 介绍了位相调制图像密度假彩色编码的原理及实验方法,并就实验过程中应注意的一些问题作出了较详细的说明.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 采用日蚀型单光束扫描法测量了在不同孔隙率情况下,多孔硅薄膜在波长(λ)为1064nm处的非线性折射率.实验结果表明,孔隙率对多孔硅的非线性折射率影响较小.与单晶硅相比,多孔硅的三阶非线性光学...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年3期页码:摘要： 采用正电子湮没技术对中子嬗变掺杂(NTD)后的磷化铟(InP)材料进行了分析.NTD InP样品经退火后的低温实验结果表明,其正电子平均寿命均随温度升高而缩短.对掺Sn的InP样品进行的低温...
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59. 抓住机遇组建我国的数字相机产业刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 综述了数字相机的基本原理及目前状况.重点讨论了今后的发展并进行了市场预测,对我国如何开发产生数字相机提出了建议,以供政府管理部门和企业界的有关人士参考.
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60. 有机半导体激光器研究的新进展刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 近年来,有机半导体激光器已经成为一个新的研究热点.叙述了光泵浦有机半导体激光器的最新研究进展,对实现电泵浦(电注入)有机半导体激光器也进行了评述.
半导体光电基本信息
| 刊名 | 半导体光电 | 主编 | 江永清 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 重庆光电技术研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1001-5868 | CN | 50-1092/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | soe@163.net |
| 电话 | 023-62806174 | 网址 | www.semiopto.net |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号44所内 |
半导体光电评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 科学文摘(英) |
| 4. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 信息产业部优秀电子期刊 |
| 2. | 重庆市优秀期刊 |
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