硅基GaN外延层的光致发光谱

• 作者: 卢焕明 叶志镇 张昊翔 赵炳辉
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 氮化镓 光致发光 外延层
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 120-122
• 分类号: TN304.23|TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.02.013

摘要

报道了在硅基上用简便的真空反应法制备出GaN外延层,并对其发光特性进行了研究.发现衬底晶向、生长温度和退火均会对GaN外延层的发光特性产生影响.Si(111)衬底比Si(100)衬底更有利于GaN外延层的单色发光.退火使GaN外延层的发光强度降低.在1 050 ℃下生长的GaN外延层的发光强度高于其他温度下生长的GaN外延层的发光强度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	卢焕明	浙江大学硅材料国家重点实验室	17	361	9.0	17.0
4	张昊翔	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	14	1.0	3.0