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半导体光电1999年出版文献
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
半导体光电
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本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊
重庆市优秀期刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
4307
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22
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年5期页码:摘要： 采用电化学方法,利用有机染料对聚苯胺进行有机染料增感,制备出不同增感性能的聚苯胺薄膜.采用红外吸收光谱对增感后的聚苯胺的结构和性能进行了表征,对其在紫外-可见光区的吸收特性进行了研究.结果表...
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92. 半导体微腔激光器刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年5期页码:摘要： 文章简要叙述了微腔激光器的基本工作原理.采用先进的LPE及反应离子刻蚀等微细加工技术制作了盘型-图钉式微腔结构,测得其有源区的光荧光谱的半宽度为0.032 eV,波长为815.33 nm.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年5期页码:摘要： 非线性光纤环镜是一种很有前途的全光波长变换装置.介绍了利用光束传输法(BPM)对耦合非线性薛定谔方程组进行数值解析,详细讨论了对变换信号质量起作用的因素,包括泵浦光脉冲与信号光脉冲之间的走离...
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94. 用递推法分析光学涂层的稳定性刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年5期页码:摘要： 应用递推方法得到了光学涂层稳定性的表达式,这些方程改进了涂层稳定条件的确定.应用这一方法,在掠角入射下对减反射涂层及全介质反射镜的稳定性进行了计算.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年5期页码:摘要： 提出了Ge0.05Si0.95/Si脊形光波导的等效模型,并在此模型的基础上利用有效折射率的数值解法计算出Ge0.05Si0.95/Si脊形光波导的有效折射率,从而为脊形光波导的设计提供了重...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年5期页码:摘要： 利用改进的液相外延技术生长出了GaAs/GaAlAs夜视系统用光源.样品质量达到了设计要求.测量结果表明,样品在10 K下的光荧光谱的峰值波长为926.26 nm.利用该材料制作的激光二极管...
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97. MBE生长高功率半导体激光器刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年5期页码:摘要： 对影响分子束外延(MBE)材料生长的一些主要因素进行了细致的分析.利用MBE生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱激光器(GRIN-SCH-SQW)材料.利用该材料制作出的列...
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98. 硅基光波导及光波导开关的研究进展刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： SiO2光波导、重掺杂光波导、SOI光波导、合金光波导及聚合物光波导等低损耗硅基光波导的研究已取得了很大的进展,随着这些波导的硅基光开关不断研制出来,各种光开关结构也不断提出来了.为了解决硅...
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99. 分布式光纤应力、应变传感技术刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 文章较详细地介绍了分布式光纤应力、应变传感器的各种结构和检测方法,分析讨论了它们的特点和性能.
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100. 条带式CCD像机及光学拼接刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 以电荷耦合器件CCD作为探测器,微机作为处理系统,讨论了如何用CCD像机代替以胶片作为记录介质的传统的弹道像机.通过光学拼接、数字拼接、CCD同步,使两块面阵CCD拼接成一字形.通过预转一个...
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101. 利用CCD器件实现动态多目标的实时处理刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 研究了一种硬件功能强、软件丰富、速度快的数字图像处理系统.它是利用数字信号处理器和可编程逻辑器件实时完成相邻两帧图像的相减操作,最终给出目标参数的一种图像处理卡,适用于采集动态目标.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 研制出利用液相外延方法生长808 nm InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱激光器,其室温连续输出功率达到4 W,室温工作的特征温度达到218 K.
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103. 用于氦原子泵浦的1080nm半导体激光器刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： InGaAs/GaAs应变量子结构半导体激光器有其特有的波长输出范围,介绍了1080 nm InGaAs/GaAs应变量子阱激光器的结构、典型的特性参数及其用途.
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104. 应变多量子阱激光器的结构稳定性刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 通过计算应变多量子阱中的净应力和应变弛豫,讨论了激光器结构中应变多量子阱的稳定性.净应力是失配位错增殖的驱动力,是应变多量子阱稳定的重要判据.因此,用单结点模型计算了应变多量子阱结构中的净应...
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105. 啁啾脉冲放大技术刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 非线性效应使激光光强限制在109 W/cm2量级.在过去十年间,各国科学工作者利用啁啾脉冲放大技术(CPA技术)将激光光强提高到1020 W/cm2量级.文章就CPA技术中的短脉冲放大,展宽...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 间接带隙Si1-xGex合金材料由于合金无序涨落而产生了无需声子参与的发光峰.自由激子局域化程度增加有利于无声子参与的带间复合发射,文章从能带工程角度出发,探索Si1-xGex合金低维应变材...
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107. 直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 以微波激励氙(Xe)发射的真空紫外光(VUV)作光源,乙炔(C2H2)作反应气体,采用直接光化学汽相淀积(CVD)工艺,在硅(Si)、钼(Mo)及玻璃衬底上,120 ℃的低温下进行了类金刚石...
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108. 有机电致发光器件载流子注入效率的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 文章从电极材料、结构、处理方法等角度出发,详细介绍了提高有机电致发光(EL)器件载流子注入效率的研究现状.
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109. ZnCdTe-ZnTe多量子阱的谱线增宽刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 通过对ZnxCd1-xTe-ZnTe多量子阱的光致发光研究,讨论了该材料的谱线增宽效应.指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非均匀增宽的主要来源,而由流体力学性质决定的涨落,在组分张落中起着非常...
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110. 铁电液晶显示器单像素电光响应特性测量系统刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 采用自行设计的测量系统对自制的128×128铁电液晶显示器不同区域像素的电光响应特性进行了测量,这些测量结果对铁电液晶器件的制作有一定的参考价值.
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111. 无平面结敏感区及其栅控光探测器刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 研制了在平面结内无敏感区的光探测器,测量结果表明其光电流是显著的.在这种器件的基础上,研制了受栅极控制的无平面结敏感区光探测器,实验测量说明这种器件的光电流输出不仅依赖于受光信号,还受到栅极...
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112. 液晶损耗对可调谐液晶光学滤波器性能的影响刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： F-P型可调谐液晶光学滤波器是一种小体积窄带宽低压调谐滤波器.液晶作为腔内工作物质,其损耗对器件的性能有重要的影响.文章以F-P干涉仪为基础,分析了液晶损耗对这类滤波器的半强度带宽(FWHM...
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113. 含酞菁功能基聚苯胺的光电性能刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 对用酞菁铜功能基改性的两种分子结构的聚苯胺(掺杂型和接枝型)进行了光电性能的测量.根据紫外吸收谱发现,用酞菁铜磺酰氯接枝的聚苯胺和酞菁铜磺酸掺杂的聚苯胺均在可见光区、近红外区具有较强的吸收....
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114. 外保护环短路不能减小光电二极管暗电流刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 通过理论和实验证明了外保护环短路的光电二极管不仅不能减小暗电流,相反会增加暗电流.因此想用外保护环短路,以求减小光电二极管暗电流的方法是不可行的.其结果与预期的正好相反.
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115. 对"间接耦合光探测器分析"的讨论刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 文章针对"间接耦合光探测器分析"[1]一文对间接耦合光探测概念的几点误解,进一步阐明了文献[2,3]中A′的物理意义,并对注入分配比和间接耦合的灵敏度等概念进行了再讨论.
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116. 间接耦合光探测器再分析刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 1999年6期页码:摘要： 利用受光PN结伏安特性方程,分别对受光PN结的光电流输出、注入电流输出和零电流输出三种情况进行了讨论,进一步对注入光敏器件的物理基础进行探讨,并对一些实验问题进行讨论.
半导体光电基本信息
| 刊名 | 半导体光电 | 主编 | 江永清 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 重庆光电技术研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1001-5868 | CN | 50-1092/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | soe@163.net |
| 电话 | 023-62806174 | 网址 | www.semiopto.net |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号44所内 |
半导体光电评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 科学文摘(英) |
| 4. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 信息产业部优秀电子期刊 |
| 2. | 重庆市优秀期刊 |
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