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半导体光电期刊
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22

半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号44所内
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
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  • 31. 干涉型光纤水听器调制解调方案研究
    作者： 叶险峰 李志能 沈梁
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  105-108
    摘要： 概述了Mach-Zehnder干涉型光纤水听器两种不同的调制解调技术，着重分析了用3×3耦合器组成的干涉型光纤水听器的解调原理。比较分析了这两种方案的特点，指出采用3×3耦合器解调技术是将来...
  • 32. PtSi红外探测器截止波长延长研究
    作者： 刘爽 刘飒 宁永功 杨家德 陈艾
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  109-111
    摘要： 讨论了将PtSi红外探测器截止波长延长的理论基础，并介绍了采用在衬底掺入Tl+和Ir+，MBE生长P+层以及低能离子注入B+，In+来延长PtSi红外探测器截止波长的三种方法。
  • 33. 一种LD泵浦Nd:YVO4/KTP激光微弱信号检测实验系统
    作者： 华家宁
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  112-116
    摘要： 介绍了一种高频光强调制LD泵浦Nd:YVO4/KTP激光无合作目标测距、测厚实验系统。对系统的各单元及整体进行了测试，取得了较好的效果。
  • 34. 火焰水解法制作SiO2平面波导材料
    作者： 刘国范 吴远大 张乐天 张玉书 邢华 郑伟 韦占雄
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  117-120
    摘要： 采用火焰水解法在Si 基上淀积SiO2 / GeO2：SiO2 预制材料，然后在真空中/空气气氛中高温处理（1380 ℃）后，制得玻璃化的SiO2 / GeO2：SiO2 膜材料。该材料膜...
  • 35. 近空间升华法制备CdTe薄膜
    作者： 冯良桓 张静全 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 邵烨 郑家贵 黎兵
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  121-123,127
    摘要： 研究了衬底材料和基片温度对膜微结构的影响。衬底温度在400 ℃以上薄膜结晶状况较为完整。在结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大，尺寸均匀。在CdTe膜面涂敷CdCl2甲醇溶液...
  • 36. 大动态范围激光散斑位移测量研究
    作者： 乐开端 唐经源 张文定
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  124-127
    摘要： 通过对散斑特性的研究与分析，提出了一种快速、准确的散斑相关搜寻法。同时还提出一种“逐步更新"的测量方法，它克服了由于大的位移而导致相关系数偏低的缺点。实验证明，这种测量方法是一种快速、准确的...
  • 37. 线性源啁啾对孤子脉冲压缩的影响
    作者： 刘颂豪 张书敏 徐文成 罗爱平 郭旗 陈伟成
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  128-131
    摘要： 通过线性源啁啾对孤子脉冲压缩影响的研究，发现泵浦脉冲和孤子脉冲的源啁啾参量都对脉冲压缩产生重要影响，且孤子脉冲压缩存在最佳光纤长度。在泵浦功率一定的条件下，选取负啁啾的泵浦脉冲或正啁啾的孤子...
  • 38. Alq和BBOT的紫外光谱与电化学行为的研究
    作者： 林建民 程蔚 郑曦 陈日耀 陈震
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  132-135
    摘要： 根据BBOT和8-羟基喹啉铝的紫外吸收光谱，并结合I-V循环伏安曲线中氧化峰和还原峰的位置，讨论了发光染料的电子传输能力及发光器件的开启电压。
  • 39. 半导体激光器光热光频调制特性的理论分析
    作者： 卢洪斌 方祖捷 王向朝 王学锋 钱锋 陈高庭
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  136-138
    摘要： 利用光照射半导体激光器而改变其结温的方法，可精确地控制激光的频移幅度。理论分析表明频移幅度与调制频率、热时间常数和半导体激光器的偏置电流等物理量有关。选择恰当的物理参数可满足正弦相位调制干涉...
  • 40. 高浓度Mg掺杂GaN的电学和退火特性研究
    作者： 张国义 李非 杨志坚 童玉珍
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  140-143
    摘要： 对高浓度Mg掺杂GaN在常规热退火和快速热退火前后的材料质量和电学特性进行了研究。X-射线衍射测量表明，重掺杂导致了GaN质量的下降，退火后略有恢复。霍尔测量表明，Cp2Mg：TMGa的流量...
  • 41. 微型光波导陀螺用半导体光源线宽特性研究
    作者： 易向阳
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  144-146
    摘要： 微型光波导陀螺中光源线宽影响系统的分辨率和灵敏度，通过理论分析和实验，把光栅周期变化-量子阱-分布反馈（CPM-MQW-DFB）激光器作为光源来压窄线宽是比较理想的。
  • 42. 一种计算异质结价带与导带阶跃的简便方法
    作者： 刘颂豪 廖常俊 文尚胜 范广涵
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  147-148
    摘要： 利用带隙经验公式、LCAO方法以及韦加定律，提出了一种计算AlGaInP异质结价带与导带阶跃的方法。该方法具有简便、精确和实用的特点。
  • 43. 光开关技术进展
    作者： 王国忠 禹培栋 谢世钟 陈明华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  149-154
    摘要： 随着密集波分复用技术的应用以及光联网的提出，光开关技术已经成为未来光联网的关键技术之一。光开关广泛应用于交叉连接设备、保护倒换、分插复用器等各种设备中。综述了目前已经实用或正在研究的光开关及...
  • 44. 光网络中的全光再生
    作者： 叶培大 赵永鹏
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  155-160
    摘要： 在超高速大容量光网络中，全光3R再生（再定时，再整形，再放大）是非常必要的。光判决门是全光3R再生中非常重要的部分，其开关特性是影响全光3R再生的重要因素。在阐述了光判决门的研究现状的基础上...
  • 45. 电子俘获材料在光存储技术中的应用
    作者： 光昕 叶孔敦 朱键 王永昌 范文慧
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  161-165
    摘要： 阐述了电子俘获光存储技术原理，进行了图像写/读/擦除及图像加/减等实验，探讨了电子俘获光存储中的动力学机制，研究了电子俘获材料中读出光、写入光和发射光三者之间的关系。实验表明，电子俘获材料以...
  • 46. 多量子阱的电子干涉及引起的光电流特性
    作者： 周均铭 程兴奎 黄绮
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  166-168
    摘要： 根据电子干涉理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子，由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时，量子阱中基态电子可跃迁到这些弱干涉非定域态上，在外电场作用下形成光电流谱的多...
  • 47. XRD对ZnO 薄膜生长条件和退火工艺的优化
    作者： Hui Cao Junying Xu R.P.H.Chang Xiang Liu 姜秀英 杜国同 杨树人 殷景志 王新强 王金忠 闫玮 高鼎三
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  169-172
    摘要： 利用等离子体MOCVD设备在(001)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析，优化了薄膜的生长条件，长出了半高宽仅为0.15°的单一取向的高质量Zn...
  • 48. GaN基量子阱激子结合能和激子光跃迁强度
    作者： 熊贵光 顾海涛
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  173-176
    摘要： 采用变分法，计算了GaN基量子阱中激子结合能和激子光跃迁强度。计算结果表明，GaN基量子阱中激子结合能为10～55meV,大于体材料中激子结合能，并随着阱宽减小而增加，在临界阱宽处达到最大...
  • 49. 2.5Gb/Scmos光接收机跨阻前置放大器
    作者： 王志功 董毅 谢世钟 陶蕤
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  177-180
    摘要： 给出了一种利用0.35μm CMOS工艺实现的2.5Gb/s跨阻前置放大器。此跨阻放大器的增益为59 dB*Ω，3dB带宽为2GHz，2GHz处的等效输入电流噪声为0.8×10-2...
  • 50. 利用制备参数的改变调整VO2薄膜的电阻温度系数
    作者： 卢勇 林理彬
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  181-183
    摘要： 利用真空还原方法，通过合理控制时间和真空退火温度，制备出具有优良热致相变特性的VO2薄膜，并对不同真空还原时间、真空退火温度和衬底条件下制备的VO2 薄膜结构和半导体相的电阻温度系数进行了研...
  • 51. 光寻址电位传感器的机理研究
    作者： 梁卫国 韩泾鸿
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  184-187,210
    摘要： 从半导体物理学及电化学的角度对光寻址电位传感器（LAPS）的机理进行了较为深入的研究。详细阐述了LAPS的基本构造，并通过分析LAPS的电路模型及少数载流子的影响得出了各种参数对LAPS的影...
  • 52. Si3N4无杂质空位诱导InGaAs/InP 量子阱结构带隙的蓝移
    作者： 冯哲川 张晓丹 王永晨 赵杰 陈景莉
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  188-190,197
    摘要： 用光荧光谱和二次离子质谱的方法，研究了由Si3N4电介质薄膜引起的无杂质空位诱导InGaAs/InP多量子阱结构的带隙蓝移。实验中选用Si3N4作为电介质层，用以产生空位,并经快速热退火处理...
  • 53. 聚合物PMMA/DR1光波导中的自衍射
    作者： 贾振红
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  191-192,210
    摘要： 利用聚合物PMMA/DR1的三阶非线性光学性质，通过两束相干光相互作用形成动态光栅，在PMMA/DR1波导上实现了光波导的自衍射, 测得一级衍射光的衍射效率为0.4%。
  • 54. 脊形波导大截面理论研究
    作者： 刘润民 孙飞 李国正
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  193-197
    摘要： 比较了两种不同的大截面脊形波导单模条件，分析了由Pogossian等人给出的单模条件及其偏差的产生原因，对这一条件进行了修正，使其偏差大大减小，并在此基础上，对大截面脊形波导中的多模问题进行...
  • 55. LD泵浦的高效率YVO4/KTP红光激光器
    作者： 檀慧明 赵岭 郑权 钱龙生
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  198-200
    摘要： 报道了用国产半导体激光二极管泵浦Nd∶YVO4产生1.342μm输出，用Ⅱ类临界位相匹配KTP腔内倍频实现671nm的红激光输出。当泵浦注入功率为1.05W时, 倍频红激光基模输出达4...
  • 56. PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究
    作者： 张顾万 龙飞
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  201-203,217
    摘要： 对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究，获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件，制作出了高质量的氮化硅介质膜。对样品进行了湿法腐蚀和超声实验，在显微镜下观察无膜脱落现象发生。阐述...
  • 57. 液晶光阀的光吸收层吸收系数的研究
    作者： 钱祥忠
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  204-206
    摘要： 用射频-等离子体化学汽相沉积法，在硼玻璃基片上淀积了厚为1.8μm的a-C∶H光吸收层，实验证明这种光吸收层的吸收系数受工艺条件的影响。测得在最佳工艺条件下，该吸收层对红光、绿光和蓝光的吸...
  • 58. 纳米晶体颗粒的声子布里渊光谱研究
    作者： 李桂梅 王麓雅 黄建平
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  207-210
    摘要： 以声子格林函数理论为基础，推导了简立方纳米晶体颗粒的声子布里渊光谱的线形公式，并给出了数值计算的结果。计算结果表明，在纳米晶体颗粒中，声子能带分裂为一系列能级，由于平移对称性被破坏，准动量不...
  • 59. BFOSC CCD控制系统设计及性能分析
    作者： 李耀华 魏名智
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  211-217
    摘要： 介绍了2.16 m望远镜BFOSC摄谱仪CCD控制器系统的设计，并对该系统各项性能进行了测试和分析。通过修改软件波形表，该系统可以产生任意特定的波形和电压，可适用于不同类型的CCD芯片，同时...
  • 60. 利用CCD实现量块的自动测量
    作者： 沈学举
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年3期
    页码:  218-219,223
    摘要： 利用CCD取代接触式干涉仪的光学放大镜接收干涉条纹，结合8031单片机并通过对干涉条纹移动量的测量，实现了对量块的自动测量。测量中以二级量块做标准量块来对三级量块进行测量。测量结果表明测量误...

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

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