高浓度Mg掺杂GaN的电学和退火特性研究

• 作者: 张国义 李非 杨志坚 童玉珍
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN Mg掺杂 热退火
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 140-143
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3|TN305.3
• 字数: 2543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.02.018

摘要

对高浓度Mg掺杂GaN在常规热退火和快速热退火前后的材料质量和电学特性进行了研究。X-射线衍射测量表明，重掺杂导致了GaN质量的下降，退火后略有恢复。霍尔测量表明，Cp2Mg：TMGa的流量比小于1：26.3时，退火后空穴浓度可达到2×1018 cm-3；当Cp2Mg：TMGa的流量比为1：21.9时，得到的高阻GaN在常规热退火和快速热退火后均只为弱p型，存在明显的施主补偿现象。这被认为是重掺杂导致晶格缺陷增多，引入了施主能级，补偿了被激活的Mg原子的结果。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义	北京大学物理系	49	229	9.0	13.0
2	童玉珍	北京大学物理系	16	63	5.0	7.0
3	杨志坚	北京大学物理系	11	156	4.0	11.0
4	李非	北京大学物理系	1	7	1.0	1.0