Mg掺杂GaN结构及电子结构的理论研究

• 作者: 姚彦文 李丹 李旭升 王海燕
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺杂 高压 带隙 第一性原理
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 997-1000
• 页数: 4页
• 分类号: O521+.2
• 字数: 2275字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2017.05.017

摘要

采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法研究了金属元素Mg掺杂GaN的结构及电子结构性质.计算金属Mg分别替换Ga和N原子后体系的结合能,得到Mg原子更容易替换Ga原子,与他人的结果一致.掺杂后晶格常数a和c反而略有增大,并且高压下的情况是类似的.Mg掺杂后GaN电子结构显示掺杂使得GaN带隙略有增加,压强从0增加到20GPa,掺杂前后带隙值分别增大约39.1％和38.4％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海燕	河南理工大学材料科学与工程学院	37	106	5.0	8.0
2	李旭升	河南理工大学材料科学与工程学院	16	35	3.0	5.0
3	李丹	攀枝花学院材料工程学院	24	44	4.0	5.0
4	姚彦文	河南理工大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0