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半导体光电2001年第3期出版文献
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
半导体光电
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本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊
重庆市优秀期刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
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1. 光开关技术进展刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 随着密集波分复用技术的应用以及光联网的提出，光开关技术已经成为未来光联网的关键技术之一。光开关广泛应用于交叉连接设备、保护倒换、分插复用器等各种设备中。综述了目前已经实用或正在研究的光开关及...
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2. 光网络中的全光再生刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 在超高速大容量光网络中，全光3R再生（再定时，再整形，再放大）是非常必要的。光判决门是全光3R再生中非常重要的部分，其开关特性是影响全光3R再生的重要因素。在阐述了光判决门的研究现状的基础上...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 阐述了电子俘获光存储技术原理，进行了图像写/读/擦除及图像加/减等实验，探讨了电子俘获光存储中的动力学机制，研究了电子俘获材料中读出光、写入光和发射光三者之间的关系。实验表明，电子俘获材料以...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 根据电子干涉理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子，由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时，量子阱中基态电子可跃迁到这些弱干涉非定域态上，在外电场作用下形成光电流谱的多...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 利用等离子体MOCVD设备在(001)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析，优化了薄膜的生长条件，长出了半高宽仅为0.15°的单一取向的高质量Zn...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 采用变分法，计算了GaN基量子阱中激子结合能和激子光跃迁强度。计算结果表明，GaN基量子阱中激子结合能为10～55meV,大于体材料中激子结合能，并随着阱宽减小而增加，在临界阱宽处达到最大...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 给出了一种利用0.35μm CMOS工艺实现的2.5Gb/s跨阻前置放大器。此跨阻放大器的增益为59 dB*Ω，3dB带宽为2GHz，2GHz处的等效输入电流噪声为0.8×10-2...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 利用真空还原方法，通过合理控制时间和真空退火温度，制备出具有优良热致相变特性的VO2薄膜，并对不同真空还原时间、真空退火温度和衬底条件下制备的VO2 薄膜结构和半导体相的电阻温度系数进行了研...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 从半导体物理学及电化学的角度对光寻址电位传感器（LAPS）的机理进行了较为深入的研究。详细阐述了LAPS的基本构造，并通过分析LAPS的电路模型及少数载流子的影响得出了各种参数对LAPS的影...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 用光荧光谱和二次离子质谱的方法，研究了由Si3N4电介质薄膜引起的无杂质空位诱导InGaAs/InP多量子阱结构的带隙蓝移。实验中选用Si3N4作为电介质层，用以产生空位,并经快速热退火处理...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 利用聚合物PMMA/DR1的三阶非线性光学性质，通过两束相干光相互作用形成动态光栅，在PMMA/DR1波导上实现了光波导的自衍射, 测得一级衍射光的衍射效率为0.4%。
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12. 脊形波导大截面理论研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 比较了两种不同的大截面脊形波导单模条件，分析了由Pogossian等人给出的单模条件及其偏差的产生原因，对这一条件进行了修正，使其偏差大大减小，并在此基础上，对大截面脊形波导中的多模问题进行...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 报道了用国产半导体激光二极管泵浦Nd∶YVO4产生1.342μm输出，用Ⅱ类临界位相匹配KTP腔内倍频实现671nm的红激光输出。当泵浦注入功率为1.05W时, 倍频红激光基模输出达4...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究，获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件，制作出了高质量的氮化硅介质膜。对样品进行了湿法腐蚀和超声实验，在显微镜下观察无膜脱落现象发生。阐述...
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15. 液晶光阀的光吸收层吸收系数的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 用射频-等离子体化学汽相沉积法，在硼玻璃基片上淀积了厚为1.8μm的a-C∶H光吸收层，实验证明这种光吸收层的吸收系数受工艺条件的影响。测得在最佳工艺条件下，该吸收层对红光、绿光和蓝光的吸...
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16. 纳米晶体颗粒的声子布里渊光谱研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 以声子格林函数理论为基础，推导了简立方纳米晶体颗粒的声子布里渊光谱的线形公式，并给出了数值计算的结果。计算结果表明，在纳米晶体颗粒中，声子能带分裂为一系列能级，由于平移对称性被破坏，准动量不...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 介绍了2.16 m望远镜BFOSC摄谱仪CCD控制器系统的设计，并对该系统各项性能进行了测试和分析。通过修改软件波形表，该系统可以产生任意特定的波形和电压，可适用于不同类型的CCD芯片，同时...
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18. 利用CCD实现量块的自动测量刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 利用CCD取代接触式干涉仪的光学放大镜接收干涉条纹，结合8031单片机并通过对干涉条纹移动量的测量，实现了对量块的自动测量。测量中以二级量块做标准量块来对三级量块进行测量。测量结果表明测量误...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 讨论了无序结构的纳米SiC多晶膜中存在的喇曼受激辐射现象。研究结果表明, 在连续波激发时，喇曼受激散具有空间均匀辐射且阈值低的特点。纳米晶无序结构强烈的散射作用形成的扩散-反馈机制和纳米晶大...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 简略介绍了椭偏仪的测量原理和测量装置。分析了Hg1-xCdxTe(MCT)的组分与椭偏仪的参数Δ和ψ之间的关系，结果发现碲镉汞的组分x主要与椭偏仪的参数ψ有关，而且x与ψ的经验关系为ψ=14...
半导体光电基本信息
| 刊名 | 半导体光电 | 主编 | 江永清 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 重庆光电技术研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-5868 | CN | 50-1092/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | soe@163.net |
| 电话 | 023-62806174 | 网址 | www.semiopto.net |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号44所内 |
半导体光电评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 信息产业部优秀电子期刊 |
| 2. | 重庆市优秀期刊 |
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