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半导体光电期刊
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22

半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号44所内
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
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年度刊次
目录
  • 1. 光纤通信系统中的色散补偿技术
    作者： 张华 曹文华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  377-382
    摘要： 综述了光纤通信系统中的色散补偿技术,介绍了各种补偿技术的基本原理及其性能特点,讨论了色散补偿技术今后的发展方向.
  • 2. 利用两段PMF的PMD补偿法
    作者： 李朝阳 毛兵成 赵荣华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  383-385,414
    摘要： 提出了利用两段保偏光纤补偿偏振模色散的补偿方案,该方案能够提供足够的带宽,实现密集波分复用系统的多路同时补偿.该系统能够补偿差分群时延可变的光纤的一阶偏振模色散,并且对高阶偏振模色散有一定的...
  • 3. 偏振模色散补偿系统
    作者： 刘秀敏 张晓光 李朝阳 李荣华 杨伯君
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  386-389
    摘要： 以偏振主态原理为基础,利用高双折射光纤作为PMD补偿器,在实验上实现了0～50ps的偏振模色散补偿.这对于长距离,10Gbit/s以上的光通信系统具有重要的实际意义.
  • 4. 零色散附近的调制不稳定性
    作者： 张书敏 徐文成
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  390-393
    摘要： 在同时考虑光纤损耗及高阶色散的前提下,从广义的非线性 Schrdinger方程出发,研究了单模光纤在零色散附近的调制不稳定性.研究表明,当光脉冲工作在最小群速度色散附近时,四阶色散对光纤的...
  • 5. 全光学偏振控制器
    作者： 曹明翠 王铁 罗风光
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  394-396,400
    摘要： 提出了一种全光学偏振控制器,它能够将光纤输出的随机偏振光变为稳定的具有确定偏振态的光信号.整个器件全部采用无源光学元件实现.测试表明,该器件插入损耗小于0.7dB,偏振相关损耗小于0.02...
  • 6. 偏振光在保密通信中的应用研究
    作者： 王敏琦 胡庆 袁绥华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  397-400
    摘要： 利用保偏光纤双折射对环境的响应,提出了通过探测偏振光偏振度的变化进行实时在线侦知窃听的光纤通信系统,在密码保密通信的基础上,进一步提高了光纤通信的保密程度.记录了无窃听时系统在-35～55 ...
  • 7. NORC光开关的阶跃响应
    作者： 刘爱民 吴重庆 王秀彦
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  401-404
    摘要： 基于非线性环形腔(NORC)的光开关以直流光为光源,输入输出为同等的二光平.在研究由耦合器和非线性光纤构成的NORC环的传输特性的基础上,当光源为阶跃信号时,分析了这种光开关的响应速度,分析...
  • 8. 980nm波段泵浦的掺铒硅酸盐玻璃光波导放大器的增益特性
    作者： 刘永智 周元庆 官周国 戴基智 陈海燕
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  405-407
    摘要： 在忽略放大自发辐射(ASE)的情况下,考虑羟基和上转过程的影响,研究了980nm波段泵浦的铒离子注入硅酸盐光波导放大器的增益特性.详细讨论了羟基、上转过程、铒掺杂浓度和泵浦功率对增益的影响...
  • 9. 紧凑型空间调制傅里叶变换光谱仪
    作者： 时善进 沈为民
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  408-410
    摘要： 提出了一种结构简单的紧凑型空间调制傅里叶变换光谱仪,它是基于由两块半五角形棱镜构成的环行共光路干涉分光装置和电荷耦合器件(CCD),具有无机械扫描、全谱同时测量、通光能力强、结构性能稳定和制...
  • 10. GaN基量子阱激光器极化相关增益饱和特性的理论计算
    作者： 姚端正 赵磊
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  411-414
    摘要： 通过计算GaN能带结构和跃迁矩阵元,对GaN基量子阱激光器的极化相关增益和增益饱和特性作了理论上的计算与分析.具体计算并给出了TE和TM模的增益谱和自饱和系数的曲线,分析了能带结构和载流子面...
  • 11. 多层热释电薄膜红外探测器的PSPICE模型
    作者： 吴小清 姚熹 李波
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  415-419,424
    摘要： 在分析了热释电探测器工作原理的基础上,利用PSPICE的ABM功能建立了多层薄膜热释电红外探测器的等效电路模型.该模型可以模拟多层薄膜热释电探测器热学和电学特性的瞬态响应和频率响应,模拟的结...
  • 12. 气相沉积法制备聚酰亚胺薄膜的光、电特性研究
    作者： 吴洪才 曹猛 郑建邦 马戎
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  420-424
    摘要： 以均苯四甲酸二酐(PMDA)和二氨基二苯醚(ODA)为单体原料,研究了在3×10-3Pa真空度下,通过控制双源单体的加入摩尔计量、加热时间和其沉积速率,在玻璃衬底上合成了聚酰亚胺的预聚体聚...
  • 13. 涡轮LP-MOCVD研制高亮度红光发光二极管
    作者： 刘颂豪 刘鲁 刘鹏 廖常俊 文尚胜 曹明德 王浩 范广涵 邓云龙
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  425-427
    摘要： 采用涡轮LP-MOCVD外延技术,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长20对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管(LED).外延片解理成300μm×300μm管...
  • 14. 利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN
    作者： 刘宝林
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  428-432
    摘要： 在传统的二步MOCVD外延生长的基础上,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长GaN材料的新方法,它在生长低温缓冲层前,用原子层的方法生长一层高质量的AlN层来减少Al2O3与GaN缓冲...
  • 15. MOCVD生长中利用Al双原子层控制和转变 GaN的极性
    作者： 刘宝林
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  433-436
    摘要： 讨论了采用MOCVD在Al2O3衬底上生长GaN过程中的极性问题.在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一Al层来改变外延层的极性,并用CICISS来测量这一极性,最后给出了一种模型来解释这一极性...
  • 16. 并四苯晶体的物理气相沉积
    作者： 刘建军 刘明大 李永军 石家纬 纪平 葛翔 郭树旭 金恩顺
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  437-439,442
    摘要： 设计了水平沉积系统,物理气相生长了并四苯晶体.仅用10～30mg的源,得到了面积达20mm2 的片状晶体.报道了可重复性的晶体生长条件.测试表明,晶体表面光滑,结构非常有序.
  • 17. 硅片接触表面的弹性形变范围
    作者： 余金中 韩伟华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  440-442
    摘要： 提出了键合过程中硅片接触的一种弹性形变模型.接触硅片表面的周期性应力场决定着接触表面形貌的变化.Airy应力函数给出了满足键合界面应力平衡微分方程的解.根据应变场的分布,给出了硅片键合界面弹...
  • 18. 多孔硅微腔微结构的AFM和SEM研究
    作者： 刘小兵 史向华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  443-447
    摘要： 多孔硅微腔是采用交替变化脉冲腐蚀电流密度的方法制成的多孔度周期性变化的多孔硅结构.用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对多孔硅微腔的侧向解理的截面进行了观测,得到了不同多孔层及...
  • 19. 氢与氧及氮钝化对多孔硅光致发光的影响
    作者： 刘小兵 史向华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  448-450
    摘要： 对多孔硅在NH3和O2中进行后处理的结果表明,SiH(O3),SiH(SiO2),SiH2 (O2),Si(NH)2和Si3N4结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高的原因.
  • 20. 一种用线阵CCD测量物体表面三维轮廓的新方法
    作者： 周鸿 赵宏
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  451-453
    摘要： 提出了一种用线阵CCD对物体三维轮廓进行测量的新方法.通过矩形光栅离焦投影,产生正弦光场,利用线阵CCD对物体进行扫描采样,采用三步相移技术进行相位解调,对物体三维轮廓进行测量.重点分析讨论...
  • 21. 光栅棱镜内调制比色测温仪研究
    作者： 何民才 姚建华 张苏淮 杨宣东 熊伟 黄启俊
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  454-456
    摘要： 探讨了在内调制光电管的基础上使用光栅棱镜作为前端分色设备进行比色测温的方法,结果表明:与使用光纤分束作为前端分色设备的方法相比,其设备简单,并具有工作波长及其带宽选择灵活的优点,完全可以达到...
  • 22. CCD输出二极管反向漏电机理的研究
    作者： 易萍
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  457-459
    摘要： 分析了CCD输出二极管反向漏电的机理,认为有三个途径造成CCD反向漏电:n+区通过SiO2漏电,n+区通过Si-SiO2表面漏电以及体内漏电.提出了解决漏电问题的方法,即控制好氧化、扩散、离...

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

半导体光电评价信息

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期刊荣誉
1. 信息产业部优秀电子期刊
2. 重庆市优秀期刊

半导体光电统计分析

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