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半导体学报(英文版)期刊

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半导体学报(英文版)

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Journal of Semiconductors

曾用名：半导体学报

CA CSCD JST AJ SA CSTPCD

影响因子 0.2430

本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。

主办单位：

中国电子学会和中国科学院半导体研究所

期刊荣誉：

中科院优秀期刊二等奖（90） 全国优秀期刊三等奖（92） 全国优秀期刊三等奖（97）

ISSN：

1674-4926

CN：

11-5781/TN

出版周期：

月刊

邮编：

100083

地址：

北京912信箱

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6983

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目录

1. Preface to the Special Topic on 2D Materials and Devices

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 1

摘要：
2. Optoelectronics based on 2D TMDs and heterostructures

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 2-10

摘要：
3. Recent progress in synthesis of two-dimensional hexagonal boron nitride

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 11-24

摘要：
4. Recent advances in preparation, properties and device applications of two-dimensional h-BN and its vertical heterostructures

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 25-43

摘要：
5. Devices and applications of van der Waals heterostructures

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 44-52

摘要：
6. Layer-number dependent high-frequency vibration modes in few-layer transition metal dichalcogenides induced by interlayer couplings

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 53-58

摘要：
7. Effects of vertical electric field and compressive strain on electronic properties of bilayer ZrS2

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 59-62

摘要：
8. Ab initio electronic transport study of two-dimensional silicon carbide-based p-n junctions

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 63-68

摘要：
9. Investigation of multilayer domains in large-scale CVD monolayer graphene by optical imaging

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 69-75

摘要：
10. Manganese and chromium doping in atomically thin MoS2

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 76-81

摘要：
11. Carbon-doping-induced negative differential resistance in armchair phosphorene nanoribbons

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 82-87

摘要：
12. Photoresponsive field-effect transistors based on multilayer SnS2 nanosheets

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 88-93

摘要：
13. Enhancement of photodetection based on perovskite/MoS2 hybrid thin film transistor

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 94-99

摘要：
14. Progress of d0 magnetism in SiC

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 100-109

摘要：
15. Colloidal synthesis and characterization of Cu2ZnSnS4 nanoplates

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 110-115

摘要：
16. A 77-100 GHz power amplifier using 0.1-μm GaAs PHEMT technology

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 116-119

摘要：
17. A high EMS daisy-chain SPI interface for battery monitor system

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年3期

页码: 120-124

摘要：

半导体学报(英文版)基本信息

刊名	半导体学报(英文版)	主编	王守武
曾用名	半导体学报
主办单位	中国电子学会和中国科学院半导体研究所	主管单位	中国科学院
出版周期	月刊	语种	eng
ISSN	1674-4926	CN	11-5781/TN
邮编	100083	电子邮箱	jos@semi.ac.cn
电话	010-82304277	网址	www.jos.ac.cn
地址	北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录

1.	化学文摘(美)
2.	中国科学引文数据库
3.	日本科学技术振兴机构数据库(日)
4.	文摘杂志(俄)
5.	科学文摘(英)
6.	中国科技论文统计与引文分析数据库

期刊荣誉

1.	中科院优秀期刊二等奖（90）
2.	全国优秀期刊三等奖（92）
3.	全国优秀期刊三等奖（97）

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