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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 在N2气压为2.67×10-2pa,500℃的条件下,用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层.生长期间,In流量以3×1014到24×1014atoms/cm2@s范围内...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试.获得了合金层的组分...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/p-Si异质结的两种不同温度(850℃,1 000℃)退火下的深能级中心.发现850℃退火的样品存在3个明显的深中心,分别为E...
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4. 纳米荧光粉的余辉研究刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 用无机材料在室温下通过溶胶法制成了纳米ZnS:Mn荧光粉,立方晶形,平均粒径为3nm,它的橙色发光(峰值608nn,半宽75nm)亮度与同晶型(立方)的体ZnS:Mn荧光粉的亮度相同,而余辉...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 制备了Tb3+浓度不同而粒径相同的一系列纳米晶Y2O2S.由于表面态对发光的猝灭作用,Tb3+离子5D3发光的寿命与体材料比较明显缩短.研究了5D3和5D4能级发光的浓度猝灭,发光强度与浓度...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 本文在超声波条件下以三甲基十六烷基溴化铵为模板剂、正硅酸乙酯为硅源合成了纳米级(10～40nm)的介孔分子筛(MCM-41),其筛孔直径在2.7nm左右.选择Eu(Phen)4为客体,纳米级...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 本文采用固相反应法,合成了一系列掺Sm3+的Na3Law(BO3)3[Na3(La1-xSmx)2(BO3)3]发光体,X-射线粉末衍射数据分析表明它们属于正交晶系,空间群为Amm2.测量了...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 本文报道了纳米Gd2O3:(Ce3+,Eu3+)的紫外与真空紫外(UV-VUV)激发谱及其选择激发下的荧光光谱.这些光谱实验表明,除了Gd2O3基质与Ce3+,Eu3+离子之间的能量传递外,...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 本文研究了稀土Gd3+掺杂于PbWO4的发射光谱、激发光谱及其浓度依赖.Gd3+在PWO4中的发光完全被猝灭,而PWO4的发射光谱形状不变.掺入约50ppm后PWO4的绿光带有所增强,掺入约...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 本文提出了从Eu3+掺杂的玻璃材料激发光谱中声子边带确定黄昆因子的方法,并对制备的不同组份玻璃材料的黄昆因子进行了计算,研究了黄昆因子对玻璃组份的依赖关系,同时讨论了材料的无辐射跃迁行为.
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 在105～300K温区内,测量了X射线激发下Ce3+:LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖(I-T),在237～300K温区内发光强度有特殊的增强结构,结合105～300K温区内热释光的测...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 本文报道了Ln 7O6(BO3)(PO4)2:Eu(Ln=La,Gd,Y)在VUV-UV区的激发光谱及Eu3+在可见区的发射光谱.其激发光谱包括基质在真空紫外区的激发带和激活剂离子在紫外区的...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 本文研究弱耦合多原子半无限晶体中表面极化子的性质.采用线性组合算符和幺正变换导出表面极化子的的有效势.
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 本文用电化学循环伏安法(I-V)、紫外光谱法(UV)和荧光光谱法(PL),比较了Alq、PBD和BBOT的紫外吸收谱图及I-V曲线上的电化学行为.实验结果指出,Alq、PBD和BBOT的电化...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 利用溶胶-凝胶(sol-gel)低温合成非晶态技术,以γ-氨基丙基三乙氧基硅烷(3-aminopropyl-triethoxysilane,KH550)与γ-缩水甘油醚基丙基三甲氧基硅烷(3...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要：
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 建立了一般意义上的单分子-光子泵模型,并用计算机模拟了在不同能量的光子激发下单个分子作为制冷泵时的量子跃迁过程,研究了单分子-光子泵处于基态和激发态时的热激发过程以及在发生荧光辐射时的声子参...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 在n+-GaAs(100)衬底上由分子束外延技术(MBE)生长了以[GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/[GaAs/AlAs]半导体/超晶格分布布拉格反射...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 用热蒸发在玻璃衬底上制备了多晶LiF薄膜,研究了由电子束照射产生的有源沟道的室温宽带光致发光特性.研究表明,室温下有源沟道F2和F3+色心具有较大的光增益和折射率增量,有望实现可见波段的可调...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 针对固体中杂质发光光谱的特殊问题,以FORTRAN77语言编写了多套曲线拟合程序,可分别适用于光滑型,散粒噪音叠加型及混合型光谱曲线的分解.并介绍了正确使用程序的技巧.对如何获得正确、可靠的...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 研究了LED视频显示大屏幕的测定和评估方法.实验表明,对LED视频图像显示质量的评估应从主客观两方面进行,才能对屏幕的主要技术参数做出有效的测定评估.本文从生理物理学的角度提出了一种简易的屏...
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22. 用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 本文报道了用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜,薄膜具有(002)取向,通过电子扫描显微镜确认晶粒大小在150nm左右,现有的薄膜在525nm处有强的光致发光.
发光学报基本信息
| 刊名 | 发光学报 | 主编 | 申德振 |
| 曾用名 | 发光与显示 | ||
| 主办单位 | 中国物理学会发光分会 中科院长春光机所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-7032 | CN | 22-1116/O4 |
| 邮编 | 130033 | 电子邮箱 | fgxbt@126.com |
| 电话 | 0431-86176862，84613407 | 网址 | www.fgxb.org |
| 地址 | 长春市东南湖大路16号 |
发光学报评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 工程索引(美) |
| 4. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 2000年获中科院优秀科技期刊二等奖 |
| 2. | 2001年首批进入期刊方阵 |
| 3. | 2004年被选入中国科技期刊精品库 |
发光学报统计分析
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