人工晶体学报期刊
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人工晶体学报

Journal of Synthetic Crystals

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.5027
本刊报道我国在半导体材料、光电子材料、纳米材料、薄膜材料和超硬材料等领域在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备,以及应用技术和加工等方面的科研成果,同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。学报是我国从事人工晶体研究人员与国外同行交流的一个重要窗口。
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
期刊荣誉:
1987年获优秀编辑二等奖  1989年获优秀期刊奖  1997年获全国第二届优秀科技期刊奖 
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
出版周期:
月刊
邮编:
100018
地址:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
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  • 作者: 侯学元 刘恩泉 周广勇 孙渝明 张树君 李宇飞 程振祥 邵宗书 陈焕矗 韩建儒
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  309-313
    摘要: 首次利用提拉法生长了优质铬离子敏化激光自倍频晶体Cr:Nd:GdCa4O(BO3)3(Cr:Nd:GdCOB),发现当铬离子和钕离子双掺时,由于协同效应使铬离子容易进入GdCOB晶体中,测量...
  • 作者: 张克从 王希敏 龚亚京
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  314-322
    摘要: 采用高温溶液法生长了含掺质离子Zr4+,Ga3+的单掺和双掺系列KTP型晶体.晶体生长过程中发现Ga掺入溶液后,体系更加稳定,容易生长出光学质量的晶体;而Zr掺入溶液后体系稳定性降低,晶体生...
  • 作者: 于丰亮 傅师申 朱世富 李奇峰 李正辉 赵北君
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  323-327
    摘要: 本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法--熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法.5~6N高纯Ag、Ga、Se单质按AgGaSe2化学配比富0.5%Se配料,1100℃下合成并在熔点附近进行...
  • 作者: 刘冬华 史伟民 李志峰 杨炬 桑文斌 王林军 苏宇 钱永彪 闵嘉华
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  328-334
    摘要: 本文运用热力学关系估算了CdZnTe熔体平衡分压.尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源控制Cd分压和Zn分压进行了Cd 0.8Zn 0.2Te晶体熔体生长,探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系...
  • 作者: 常新安 张克从 张红 王希敏 肖卫强 臧和贵 韦建环
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  335-340
    摘要: 采用水溶液缓慢降温法生长了掺质为乳酸、异丙醇胺、L-丝氨酸、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺TGS系列晶体,研究了晶体生长形态,测定了晶胞参数、红外光谱和热释电性能.实验结果表明,所有掺质均已...
  • 作者: 常新安 张克从 张红 王希敏 王根水 肖卫强 臧和贵
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  341-345
    摘要: 本文从晶体结构对称性的观点出发,寻找新型有机热释电晶体材料,选取了具有P21空间群结构的酒石酸铵系列晶体作为研究对象,用水溶液缓慢降温法生长了酒石酸铵及其掺质酒石酸铵晶体,掺质分别为尿素、溴...
  • 作者: 张秀荣 张顺兴 柴耀
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  346-349
    摘要: 本文对生长大尺寸硼酸铯锂(CsLiB6O10,简称CLBO)单晶的生长工艺进行了探索研究,采用顶部籽晶泡生法生长出尺寸为70×25mm的CLBO透明晶体.测量了晶体的干涉图,计算其折射率变...
  • 作者: 姜彦岛 赵志伟
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  350-353
    摘要: 本文报道了Ca3(VO4)2晶体生长时原料组分的选择,指出相图上CaO质量分数的范围在36%~40%是合理的生长区间.讨论了合成原料的合理方式,采用CaCO3与V2O5直接合成的方法能够避免...
  • 作者: 曹余惠 曾贵平 殷绍唐
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  354-358
    摘要: 本文报道了用化学腐蚀法对掺质浓度不同和掺质种类不同的YAG晶体样品进行的腐蚀,详细地观察了样品表面的腐蚀坑形貌,尤其是位错腐蚀坑的形貌和分布,测量了原生态和相应的退火样品上位错腐蚀坑的平均密...
  • 作者: 严辉 宋雪梅 王波 邹云娟 陈光华
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  359-363
    摘要: 在电弧法制备的过程中添加氮气或B2O3粉末,制备了氮、硼替位式掺杂C60.硼掺杂和氮掺杂C60均显示明显的半导体导电特性,且室温电导率比未掺杂C60薄膜提高1~2个量级.用共蒸发的方法制备出...
  • 作者: 张伟 赵业权 高军
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  364-367
    摘要: 本文探讨了在燃烧焰法沉积金刚石薄膜过程中,稀释气体Ar对沉积质量的影响.发现在成膜过程中适当量的Ar起到增大内焰体积、降低沉积速率和提高晶型质量的作用.文中分析了其原因,并实现了利用Ar来控...
  • 作者: 施尔畏 李汶军 殷之文
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  368-372
    摘要: 本文由配位多面体生长习性法则分析了ZnS,锐钛矿和γ-AlO(OH)晶体的生长习性.发现ZnS晶体的各晶面的生长速度为:v(111)>v(001)=v(010)=v(100)>v();锐钛矿...
  • 作者: 范世(马豈) 费一汀 陈红兵
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  373-376
    摘要: 本文通过差热分析(DTA)和X射线粉末衍射(XRD)方法研究了赝二元系LiF-SrAlF5的相平衡关系.该赝二元系在LiF:SrAlF5=1:1处形成一致融熔化合物LiSrAlF6,其熔点为...
  • 作者: 吴南春 施尔畏 李汶军 殷之文 郑燕青
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  377-381
    摘要: 在各种晶体的结构类型中BaTiO3、CeO2和NaCl晶体的结构相对比较简单,但是它们的生长习性一直得不到合理的解释.如PBC理论很难合理解释BaTiO3、NaCl和CeO2晶体的生长习性及...
  • 作者: 庄汉锐 张炯 江国健 王本民 阮美玲
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  382-386
    摘要: 采用自蔓延高温合成技术(SHS),在高压氮气中成功地合成了氮化铝晶须,并对它的显微结构进行了研究.研究结果表明,由于制备时的生长条件极不稳定,出现不同形态的晶须形貌,除了细长均匀的氮化铝晶须...
  • 作者: 庄汉锐 张炯 江国健 王本民 阮美玲
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  387-391
    摘要: 在对自蔓延高温合成方法制得的AIN晶须形态研究的基础上,采用高分辩电镜等技术,对AIN晶须进行了生长机理研究,结果表明,晶须头部的小液滴显示氮化铝晶须可由VLS机制生成.光滑晶须头部的出现、...
  • 作者: 付有君 刘嘉民 曾红 李义平 王圣来 高樟寿
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  392-397
    摘要: 电解质溶液的电导随浓度而变化,测量溶液电导即可推出溶液的浓度.为避免传统电桥法对测量溶液的影响,根据电磁感应的原理,设计制作了变压器型电导仪.受电磁屏蔽及电磁感应线性范围的限制,该电导仪只能...
  • 作者: 王忠
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  398-403
    摘要: 金刚石工具质量的好坏,通常用寿命和切割效率为主要指标来衡量.而这两个指标受许多因素影响.就热压烧结工具而言,结块胎体硬度是易于观测和控制的主要参数,且与上述两项指标的关系密切.因此在实际设计...
  • 作者: 宋月清 康志君 高云
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  404-408
    摘要: 本文从晶体结构方面说明了金刚石化学性质稳定的原因,介绍了提高金刚石工具性能所采用的三种常用方法:金刚石表面金属化、金属基体改性和工艺改变方法.这三种方法起作用的机理可解释为由于强碳化物元素的...
  • 作者: 杨国伟
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  409
    摘要: 本文综述了在化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)金刚石薄膜过程中非金刚石衬底表面金刚石成核机理研究进展.主要讨论了衬底表面缺陷诱导金刚石成核模型,指出最...

人工晶体学报基本信息

刊名 人工晶体学报 主编 张伟儒
曾用名
主办单位 中材人工晶体研究院有限公司  主管单位 中国建筑材料联合会
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1000-985X CN 11-2637/O7
邮编 100018 电子邮箱 jtxbbjb@126.com
电话 010-65491290 ;65492963 网址 www.jtxb.cn
地址 北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱

人工晶体学报评价信息

期刊荣誉
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2. 1989年获优秀期刊奖
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人工晶体学报统计分析

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