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微纳电子技术期刊
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名： 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄市179信箱46分箱
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  • 31. 磁性液体场致界面不稳定性的实验研究
    作者： 付延庆 吴鹏 孙娇 李学慧
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  164-166,198
    摘要： 利用自行研制的磁性液体,搭建磁性液体界面不稳定性的实验装置,通过调控电磁铁的励磁电流产生不同的磁场,研究处于磁场中磁性液体界面不稳定性的现象,观察、检测磁性液体突起三维尖峰的数目、间距、高度...
  • 32. Au/SiO2纳米复合膜的形貌及发光特性
    作者： 卓博世 彭瑞芹 李玉国 杨爱春 郑学垒
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  167-171
    摘要： 采用磁控溅射和退火法在Si(111)衬底上制备Au/SiO2,纳米复合薄膜,并在两种实验模式下进行退火处理.模式A:不同的退火温度,退火20 min;模式B:退火温度1 000 0C,不同的...
  • 33. GaN基HEMT微加速度计的压阻系数测试
    作者： 唐建军 张倩倩 梁庭 熊继军 王勇
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  172-176
    摘要： 介绍T GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析.通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进...
  • 34. 一种基于厚膜陶瓷电容的微位移传感器
    作者： 孔德义 张瑞 熊剑平 王焕钦 王英先 钱玉洁 马以武 高理升
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  177-182
    摘要： 为深入研究微纳米环境中物体的受力与运动状态,实现微纳米环境下的位置感知与位移操作,建立纳米尺度下位移、力检测的理论方法,研制了一种基于厚膜陶瓷电容的微位移传感器.通过采用厚膜混合集成工艺将信...
  • 35. 对称电极组空间位阻效应交流电渗流研究
    作者： 吴健康 晁侃 陈波
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  183-188
    摘要： 建立了一种对称电极组交流电渗流微泵结构,通过改变相邻电极间的AC信号相位,可以方便地实现对微通道流向的控制.根据双电层离子数的空间位阻效应修正,数值求解了双电层Poisson-Boltzma...
  • 36. MEMS微加速度与微角速率集成传感器的研制
    作者： 吕树海 张旭辉 徐淑静 杨拥军
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  189-193
    摘要： 介绍了一种全新的MEMS微型惯性器件,该器件是一种基于热对流原理的热膜式传感器,它利用一个单敏感元件同时测量加速度和角速率.该器件由一个加热器和两组微型温度传感器组成,加热器加热气体形成的热...
  • 37. 适用于微纳流控芯片对准连接的微装配系统
    作者： 刘云亮 刘冲 徐征 王俊尧 王德佳
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  194-198
    摘要： 针对微纳流控芯片等器件的对准装配问题,分析了具体操作要求,建立了一套包含显微光学观测单元、机械进给调整和器件吸取一放置等的微装配系统,采用暗场照明观测微纳结构,高精度移动平台精确调整基片与盖...
  • 38. InP晶片位错密度分布测量
    作者： 孙聂枫 李晓岚 杨帆 杨瑞霞 潘静 骆新江
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  199-202
    摘要： 采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的InP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影...
  • 39. SiO2胶体对磁头表面污染分析
    作者： 李炳辉 王晓维
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  203-207
    摘要： 在发生磁头表面污染的清洗工序收集了被污染的样品并提取了水样,将检查后表面无污染的磁头通过清洗用水浸泡准备了模拟样品.用原子力显微镜和超级扫描电子显微镜对两种磁头样品形貌进行观察,结果表明,污...
  • 40. 信息动态
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年3期
    页码:  208
    摘要：
  • 41. 铁镍合金与碳纳米管复合物的制备及吸波性能
    作者： 徐美华 祁小四 都有为 钟伟
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  209-214
    摘要： 以采用溶胶凝胶结合氢气还原法制备出的铁镍合金纳米颗粒为催化剂,原位裂解苯,成功合成铁镍合金与纳米碳管的复合物.场发射扫描电镜和高分辨透射电镜结果显示复合物为一维纳米管状结构.微波电磁参数测量...
  • 42. 蝶形天线增强的HEMT室温太赫兹探测器
    作者： 吴东岷 周宇 孙云飞 孙建东 张宝顺 张志鹏 曾春红 林文魁 秦华
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  215-219
    摘要： 介绍了一种基于GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的高速、高灵敏度室温太赫兹探测器.在太赫兹波辐射下,HEMT源漏端产生直流光电流,并能被栅压灵敏地调控.探测器中新颖的蝶形天线设...
  • 43. 高压GaAs微型太阳电池阵列的制备
    作者： 吴金良 姚建曦 尹志刚 张兴旺 张汉 汪宇 王俊 王彦硕 白一鸣 陈诺夫 黄添懋
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  220-224,247
    摘要： 为了提高GaAs微型太阳电池的输出性能,对微型太阳电池阵列的主要工艺进行了研究和改进.通过对帽层、背电极层和台面的选择性/非选择性湿法腐蚀工艺的探索,实现了对最佳腐蚀液的配比、腐蚀时间和温度...
  • 44. 影响AlGaN/GaN HFET器件二维电子气的若干因素
    作者： 刘岩 张明华 李惠军 林兆军 申艳芬 魏晓珂
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  225-229
    摘要： 基于Sentaurus Workbench(SWB)TCAD可制造性设计平台进行AlGaN/GaN器件的结构设计和仿真,并对影响二维电子气的重要参数因素进行了研究及优化,诸如AlGaN势垒层...
  • 45. 基于GaAs PHEMT的Ku波段宽带单片中功率放大器
    作者： 刘如青 崔玉兴 张斌 高学邦
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  230-232,253
    摘要： 设计并实现了一款Ku波段宽带单片中功率放大器,依据电路原理设计了功率放大器电路,利用ADS软件对设计的电路和版图分别进行了电学参数优化与电磁仿真.放大器采用0.25 μm栅长的GaAs PH...
  • 46. 淀积参数对PECVD氮化硅薄膜力学特性的影响
    作者： 严天宏 宋美绚 王小飞 韩建强
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  233-236
    摘要： 等离子增强化学气相淀积(PECVD)法制备的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高和残余应力可调节等特点,研究其力学特性对研制MEMS器件和系统具有重要意义.采用HQ-2型PECVD淀积台,在...
  • 47. ZnO纳米棒与Si(111)和Si(100)衬底的外延关系
    作者： 刘忠华 唐斌 张强 税正伟 邓宏
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  237-241
    摘要： 运用热蒸发技术在Si(111)和Si(100)基片上制备了ZnO纳米棒.SEM表征显示,ZnO纳米棒的直径约100 nm,长度均匀,大约3 μm;XRD表征发现ZnO纳米棒沿[0001]晶向...
  • 48. 基于静电排斥力的大冲程MEMS变形镜
    作者： 倪祖高 姚军 汪为民 陈科帆 高福华
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  242-247
    摘要： 设计并制造了一种基于静电排斥力的大冲程MEMS变形镜,此变形镜采用了三个多晶硅结构层和一个金属反射层的设计.利用表面硅工艺完成了变形镜的加工,结合有限元分析软件和白光干涉仪对三种不同驱动器电...
  • 49. 信息动态
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  247,274-276
    摘要：
  • 50. 微机械圆盘谐振器的仿真分析及等效电路
    作者： 徐淑壹 贾英茜 赵正平
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  248-253
    摘要： 通过对径向振动圆盘的机械振动方程进行分析,将机械振动的分散参数集总化,提取出机械集总参量并通过机电类比的方法将集总化的机械参量类比成电参量,建立起径向振动微机械谐振器的电参数模型.利用ANS...
  • 51. 分子印迹膜SPR传感器检测氯磺隆的方法
    作者： 孙建海 崔大付 张璐璐 李辉 蔡浩原 陈兴
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  254-257
    摘要： 研究使用了中国科学院电子学研究所自行研制的高灵敏度单通道SPR分析仪和进样装置,仪器为棱镜耦合型SPR传感器结构,其检测角度范围是40°～70°,折射率检测范围为1.04～1.47,谐振角的...
  • 52. 悬臂梁接触式RF MEMS串联开关工艺设计
    作者： 柏鹭 王强 贾小慧 郑英彬 高杨
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  258-263
    摘要： 报道了一款用于X波段的悬臂梁接触式RF MEMS串联开关的微加工工艺设计.首先,介绍了该悬臂梁接触式MEMS串联开关的基本工作原理;然后,简单描述了其结构组成和尺寸参数;最后,对掩膜版和对位...
  • 53. 基于1×2阵列压电悬臂梁的AFM并行扫描
    作者： 林旭东 董维杰
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  264-268,273
    摘要： 分析了阵列悬臂探针并行扫描的工作方式,以非接触磁力模拟样品与悬臂梁间的范德华力,研究了1×2阵列压电悬臂梁的并行扫描和驱动控制方法.每一压电梁均集成了微位移致动器和力传感器,在320 Hz一...
  • 54. 离子注入水平扫描均匀性控制算法
    作者： 刘昌鑫 罗超 龙侃
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年4期
    页码:  269-273
    摘要： 为提高离子注入工艺中水平扫描输入剂量的均匀性,研究了离子束水平扫描速度对各处注入剂量的影响规律,建立了水平方向注入剂量分布曲线的数学模型.通过简化离子束斑轮廓,提出了一种实用的离子注入水平扫...
  • 55. MEMS微陀螺仪研究进展
    作者： 刘武 吴校生 崔峰 张卫平 成宇翔 陈文元
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年5期
    页码:  277-285
    摘要： 回顾了MEMS微陀螺仪的研究进展,简单介绍了MEMS微陀螺仪的市场应用.微陀螺仪是MEMS器件中非常重要的一类器件.它的运用已经从单纯的航空领域逐渐转向汽车、消费电子行业等低端市场,这意味着...
  • 56. 信息动态
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年5期
    页码:  285,343-344
    摘要：
  • 57. 纳米双栅MOSFET栅极漏电流的二维量子模拟
    作者： 唐睿 常胜 王豪 王高峰 胡月
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年5期
    页码:  286-290
    摘要： 基于非平衡格林函数(NEGF)的量子输运理论框架,对双栅MOSFET进行了二维实空间数值模拟.在对表征载流子电势的泊松方程自洽求解后,感兴趣的物理量(如亚阈值摆幅、漏致势垒下降、载流子密度、...
  • 58. 一位QCA数值比较器的可靠性研究
    作者： 彭卫东 李政操 杨晓阔 柏鹏 蔡理 黄宏图
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年5期
    页码:  291-295
    摘要： 针对量子元胞自动机电路中存在的元胞移位、元胞未对准、元胞遗漏、元胞旋转等固有缺陷,采用概率转移矩阵方法建立了一位QCA数值比较器的可靠性模型,并对其可靠性进行了深入分析.对于不同的输入,分别...
  • 59. 808nm波长锁定大功率半导体激光器列阵
    作者： 安振峰 邓海丽 黄科
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年5期
    页码:  296-299
    摘要： 大功率半导体激光器列阵(DLA)具有功率高、电光转换效率高、可靠性强、寿命长、体积小及成本低等诸多优点,但其波长随温度变化较大,光谱线宽较宽,这些缺点直接限制了其实际应用.为了解决此问题,采...
  • 60. CdSe四脚状纳米晶粒的光荧光研究
    作者： 庞起 王建农 葛惟昆 赵莉娟 陆爱江
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2011年5期
    页码:  300-304,310
    摘要： 采用高温微乳液的化学方法,在溶液中合成了高产率的CdSe四脚状纳米晶粒.高分辨透射电镜(HRTEM)分析结果表明,CdSe四脚状纳米晶粒是由1个立方的核心和4个六方的臂所组成.研究了该四脚晶...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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