影响AlGaN/GaN HFET器件二维电子气的若干因素

• 作者: 刘岩 张明华 李惠军 林兆军 申艳芬 魏晓珂
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管(HFET) 二维电子气(2DEG) 自发极化 压电极化
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 225-229
• 分类号: TN325.3
• 字数: 2753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.04.004

摘要

基于Sentaurus Workbench(SWB)TCAD可制造性设计平台进行AlGaN/GaN器件的结构设计和仿真,并对影响二维电子气的重要参数因素进行了研究及优化,诸如AlGaN势垒层中Al组分x、AlGaN势垒层厚度h、应变弛豫度r和栅偏压Vg等因素.参数相关性的制约结果,无疑会反映在对器件物理特性的制约及影响上.研究结果表明,在一定条件下增大势垒层中Al组分和势垒层厚度可以提高器件的电流传输特性.然而随着二者的不断增大将会引起应变弛豫的发生,而应变弛豫的发生会降低器件的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张明华	山东大学信息科学与工程学院	5	5	1.0	2.0
2	林兆军	山东大学物理微电子学院	4	8	2.0	2.0
3	李惠军	山东大学信息科学与工程学院	51	103	5.0	7.0
4	申艳芬	山东大学信息科学与工程学院	2	4	1.0	2.0
5	魏晓珂	山东大学信息科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
6	刘岩	山东大学信息科学与工程学院	12	73	3.0	8.0