微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
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3266
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  69-74
    摘要:
  • 作者: 杨霏 查祎英 田亮
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  75-79
    摘要: 设计了一种用于3.3 kV 4H-SiC肖特基二极管的场限环(FLR)结终端保护结构.该结终端保护结构是通过在高能离子注入形成二极管p+有源区的同时在结边缘形成多个不同间距的p+场限环来实现...
  • 作者: 夏英杰 孙保瑞 师巨亮 牛晨亮 王健 王建峰 韩颖
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  80-84,97
    摘要: 主要研究了THz量子级联激光器注入区结构的隧穿特性.通过量子力学方程设计出透射率最大的注入区结构.模拟结果表明,周期间势垒宽度为4.7 nm时,注入区的透射率最大.对于含有此注入区的QCL结...
  • 作者: 李新鹏 李海华 王庆康
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  85-88
    摘要: 为了改善薄膜太阳电池表面抗反射特性,提高其对光的吸收率,在玻璃基体上制备了一种新的微纳抗反射结构,即微半球孔阵列,其周期约为10 μm、深度约5μm.测试了微半球孔阵列结构的光学特性,得到这...
  • 作者: 任重 朱平 熊继军 蔡婷
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  89-92,122
    摘要: 针对聚吡咯(PPy)功能薄膜在三维微结构上很难均匀电沉积,易出现MEMS超级电容器阴阳极黏连、接触等失效现象,通过控制吡咯(Py)单体与苯磺酸钠(BSNa)溶液的配比与循环伏安扫描速度,探索...
  • 作者: 庞天奇 王吉有 王翀 程祎 邓金祥 陈亮
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  93-97
    摘要: 采用磁控溅射法在石英衬底上制备出结晶性良好的氧化锌薄膜,并在氧气气氛中不同温度(100~800℃)下进行退火处理.然后利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及椭偏仪对其结晶性能...
  • 作者: 仇庆林 朱燕艳 苑军军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  98-102
    摘要: 采用分子束外延(MBE)法在Si(001)衬底上生长Er2O3高k薄膜材料.X射线衍射结果表明,用这一方法得到的硅基Er2O3薄膜是(440)取向的单晶,电学测试预示在Si和Er2O3薄膜的...
  • 作者: 丑修建 安坤 杨杰 许卓 陈晓勇
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  103-107
    摘要: 具有高能量输出密度的自我供电振动能量采集技术有着迫切的应用需求,是智能化MEMS器件系统发展的重要方向.研究了一种可将外界环境振动能转化为电能的MEMS压电-磁电复合振动能量采集器,其综合了...
  • 作者: 卞玉民 张旭辉 徐爱东
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  108-112
    摘要: 提出了一种适合低阻尼MEMS压阻加速度传感器频率特性的测试方法,可较为快捷地获得传感器谐振频率和阻尼比等频率特性.首先介绍了该方法的理论依据和计算方法,然后介绍了典型测试系统构成和测试结果,...
  • 作者: 朱琳 李爱东
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  113-122
    摘要: 原子层沉积(ALD)技术是一种三维共形沉积金属薄膜或金属纳米结构的有效手段.简要介绍了ALD技术的基本原理和特点,着重阐述和比较了ALD生长贵金属、过渡金属和活泼金属的不同工艺条件、化学过程...
  • 作者: 刘璇 刘畅 张亚非 王楠 苏言杰 赵波
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  123-128
    摘要: 采用一种超声焊接工艺,通过施加纳米幅度的超声水平振动将金刚石颗粒牢固地焊接于硅基底表面.在此过程中超声力小于硅所能承受的剪切应力,使硅表面得以发生超声软化进而促成焊接的形成.焊接界面的分析结...
  • 作者: 汪亚运 秦佳伟 赵晓兵 陈杨
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  129-134
    摘要: 以采用改进无皂乳液聚合法制备的纳米尺寸聚苯乙烯(PS)微球为内核,采用原位化学沉淀法制备了不同壳层厚度的PS/CeO2核/壳包覆结构复合微球.将所制备的复合颗粒用于二氧化硅介质层的化学机械抛...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  135-136
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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