一种高压4H-SiC二极管改进场限环结终端结构

• 作者: 杨霏 查祎英 田亮
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 结终端 场限环(FLR) 碳化硅二极管 击穿电压 器件仿真
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 75-79
• 分类号: TN311.7|TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.02.002

摘要

设计了一种用于3.3 kV 4H-SiC肖特基二极管的场限环(FLR)结终端保护结构.该结终端保护结构是通过在高能离子注入形成二极管p+有源区的同时在结边缘形成多个不同间距的p+场限环来实现的,以避免多次离子注入.借助半导体数值仿真软件Silvaco,对制备二极管所用的4H-SiC材料外延层耐压特性进行了仿真验证;对场限环的环间距和场限环宽度进行了优化,形成由34个宽度5μm的场限环构成的场限环结终端结构.以此为基础,采用4英寸(1英寸=2.54 cm)n型4H-SiC外延片成功制备了3.3 kV 4H-SiC二极管器件.简述了制备工艺流程,给出了部分关键工艺参数.对二极管芯片进行了在片测试和分析,反向漏电流密度1 mA/cm2时的击穿电压约为3.9 kV,且70％以上的二极管耐压可达到3.6 kV以上,验证了这一场限环结终端的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田亮		2	3	1.0	1.0
2	杨霏		10	18	3.0	4.0
3	查祎英		3	4	1.0	2.0