采用场限环终端的2.5mΩ·cm2,1750V 4H-SiC结势垒肖特基二极管

• 作者: 任娜 盛况
• 来源期刊: 中国电机工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 结势垒肖特基二极管 阻断电压 比导通电阻 场限环
• 年，卷（期）: 2015,（21）
• 所属期刊栏目: 电力电子与电力传动
• 页码范围: 5551-5559
• 页数: 9页
• 分类号: TM23
• 字数: 827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13334/j.0258-8013.pcsee.2015.21.019

摘要

该文报道具有最小比导通电阻的~1.7kV 4H-SiC结势垒肖特基二极管。首先通过数值仿真对结势垒肖特基(junction barrier Schottky，JBS)二极管的有源区和终端结构进行了优化设计。实验结果验证了场限环(floating guard ring，FGR)终端的优化设计结构具有较强的鲁棒性，能够抵抗工艺中环间距的变化以及钝化层中寄生电荷的影响。实验制作的4H-SiC结势垒肖特基二极管实现了2.5 mΩ·cm2的最小比导通电阻值，接近于理论值(2.4 mΩ·cm2)，并且具有优秀的反向阻断特性，获得了最高1.75 kV的阻断电压(达到了95%的理论值)和83%的器件良率，从而实现了SiC JBS二极管品质因数的最高记录(UB2/Ron_sp=1225 MW/cm2)。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	盛况	浙江大学电气工程学院	28	745	8.0	27.0
2	任娜	浙江大学电气工程学院	3	12	2.0	3.0