4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管静态特性

• 作者: 徐立坤 李天琪 苗志坤
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 结势垒肖特基二极管 导通压降 击穿电压 反向漏电流
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN387.5
• 字数: 2805字
• 语种: 中文

摘要

为增强器件的反向耐压能力,降低器件的漏电功耗,采用Silvaco TCAD对沟槽底部具有Si02间隔的结势垒肖特基二极管(TSOB)的器件特性进行了仿真研究.通过优化参数来改善导通压降(K)-反向漏电流(IR)和击穿电压的折衷关系.室温下,沟槽深度为2.2 μm时,器件的击穿电压达到1 610 V.正向导通压降为2.1V,在VF=3V时正向电流密度为199 A/cm2.为进一步改善器件的反向阻断特性,在P型多晶硅掺杂的有源区生成一层Si02来优化漂移区电场分布,此时改善的器件结构在维持正向导通压降2.1V的前提下,击穿电压达到1 821V,增加了13％.在1000V反向偏置电压下,反向漏电流密度比普通结构降低了87％,有效降低了器件的漏电功耗.普通器件结构的开/关电流比为2.6 ×103(1 V/-500 V),而改善的结构为1.3×104(1 V/-500 V).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苗志坤	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	1	3	1.0	1.0
2	李天琪	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	1	3	1.0	1.0
3	徐立坤	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	1	3	1.0	1.0