退火温度对ZnO薄膜结晶和折射率的影响

• 作者: 庞天奇 王吉有 王翀 程祎 邓金祥 陈亮
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 磁控溅射 退火 缺陷 晶粒尺寸 折射率
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 93-97
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.02.006

摘要

采用磁控溅射法在石英衬底上制备出结晶性良好的氧化锌薄膜,并在氧气气氛中不同温度(100～800℃)下进行退火处理.然后利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及椭偏仪对其结晶性能和光学性能进行了表征,探讨了退火温度对薄膜光学性能的影响,并分析其原因.研究表明:退火可以使c轴生长的薄膜取向性增强;同时晶粒尺寸增大,表明粗糙度也会增加.所测得的薄膜折射率变化范围为1.775～2.059,其中退火温度为500℃时对应相同波长的折射率最大,变化范围为1.894～2.059.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王吉有	北京工业大学应用数理学院	36	164	7.0	11.0
2	邓金祥	北京工业大学应用数理学院	45	150	7.0	9.0
3	陈亮	北京工业大学应用数理学院	20	61	5.0	6.0
4	庞天奇	北京工业大学应用数理学院	2	11	2.0	2.0
5	王翀	北京工业大学应用数理学院	3	17	3.0	3.0
6	程祎	北京工业大学应用数理学院	1	5	1.0	1.0