微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 徐烨峰 李昱东 谭思昊 闫江
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  565-570,622
    摘要: 全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件具有出色的短沟道效应(SCE)控制能力等优势,是22 nm及以下的CMOS技术节点中的有力竞争者.为了研究减薄埋氧层(BOX)厚度对FDSOI器件性能和短沟...
  • 作者: 付方彬 刘雅丽 吴巨 王占国 金鹏 龚猛
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  571-581,587
    摘要: 简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势.重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的...
  • 作者: 方俊飞 杨金峰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  582-587
    摘要: 利用聚苯乙烯胶体微球组装的单层胶体晶体阵列作为掩模板,分别采用反应离子刻蚀和等离子体刻蚀工艺在晶体硅表面构造出不同形态的微纳米结构,并研究不同刻蚀方法和不同刻蚀时间对微结构形态的影响作用.利...
  • 作者: 何磊 张子立 杨柳 殷晨波
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  588-593
    摘要: 应用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理,并借助Materials Studio软件中Castep模块建立了CO与SnO2薄膜(110)面的吸附模型,最终确定了Pd掺杂的与纯净的SnO2(...
  • 作者: 周围 周琪 张思祥 张旭 朱远飞 李志东 王晓辰 郭兴
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  594-598
    摘要: 综合微流控技术与激光技术,对流体环境中细胞在激光作用下的运动情况进行了受力分析,并对其作用机理进行了研究.首先针对不同物理尺寸的细胞在侧向激光作用下的运动轨迹进行仿真,并根据仿真结果来优化设...
  • 作者: 刘媛媛 杨富华 柳瑞丛 陈雪
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  599-604,629
    摘要: 微型的、可重复装配的、硅基的微光学实验平台和操作平台对于实现光学分析仪器的微型化具有重要的研究意义.设计制作了一种硅基的微光学平台,它包含有微光学基板和微光学夹持片.首先采用有限元分析软件C...
  • 作者: 卢维尔 夏洋 张思敏 程嵩
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  605-609,633
    摘要: 采用热型原子层沉积(T-ALD)和等离子体增强型原子层沉积(PEALD)技术在蓝宝石衬底上制备ZnO,不采用任何掺杂手段,通过调节生长温度、氧等离子体作用时间等参数,制备了电阻率在6个数量级...
  • 作者: 崔丹凤 李艳芳 杜建功 海振银
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  610-615
    摘要: 以脱脂棉为碳源,氯化锰为前驱物,采用碳辅助法制备了粒径约为65 nm的Mn3O4纳米颗粒.通过透射电镜(TEM)和高倍透射电镜(HRTEM)对制备样品的形貌、粒径及晶面的结构特性进行了分析;...
  • 作者: 张德勤 杨超 邹传平 高阳
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  616-622
    摘要: 提出了一种可行的制备超疏水跨尺度微纳结构的方法,该方法基于衍射干涉光刻技术,制备出拥有跨尺度的光刻胶结构阵列.建立衍射干涉光刻模型,采用严格耦合波分析(RCWA)方法对衍射干涉形成的光强分布...
  • 作者: 周朝旭 张保国 潘柏臣 赵帅
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  623-629
    摘要: 对锗和锗化硅材料应用及发展前景进行了简单介绍.主要论述了在14 nm技术节点以下应用于pMOS晶体管沟道材料的锗的化学机械抛光(CMP)技术的发展现状,如抛光液组分的优化以及工艺参数的革新,...
  • 作者: 刘洪 庞炳远 闫萍
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年9期
    页码:  630-633
    摘要: 采用区熔工艺对多次真空提纯后的多晶硅进行了n型高阻硅单晶生长.真空提纯时,通过对工艺参数的精确控制,稳步提升了晶体的纯度和电阻率.单晶生长时,对比分析了常规旋转工艺和正反转旋转工艺两种生长方...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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