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真空电子技术2012年出版文献
出版文献量（篇）
2372
总下载数（次）
7
真空电子技术
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Vacuum Electronics
影响因子
0.1767
本刊1959年创刊，现为双月刊，国内外公开发行。是真空电子专业协会会刊，电真空情报网网刊，中国真空电子技术领域唯一的综合技术类刊物。设有专家论坛、研究报告、研究与设计、新技术、技术交流、工艺与应用、综述等栏目。主要刊登的是真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件；CPT、CDT、PDP等显示器件和光电器件；照明光源；真空获得、测量、控制；气体分析；表面技术；电子材料及特殊工艺等方面的...
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主办单位：
北京真空电子技术研究所
期刊荣誉：
编辑质量奖
ISSN：
1002-8935
CN：
11-2485/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
100015
地址：
出版文献量（篇）
2372
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 氧化钨纳米线由于具有长径比较大、导电性好、阈值电场较低、可承受的电流较高等优点,因此在场致电子发射器件中受到人们的广泛关注.但是在氧化钨纳米结构研究发展的过程中,出现了一些技术难题,比如制备...
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32. 改性含钪薄膜阴极的研究刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 采用Sc6 WO12 +W代替传统的Sc2WO3+W材料制备溅射靶,利用三极直流溅射方法制备含钪薄膜阴极.这种方法不需要在覆膜过程中通入氧气或采取其它的复杂氧化工艺,不仅简化了操作也提高了阴...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 提出了一种用于去除行波管慢波结构有限元仿真中产生的伪直流模式的新方法.该方法基于高阶叠层基函数.不仅可以应用于标准周期边界条件还可以应用于旋转周期边界条件.使用该方法后可以得到一个稳定.精确...
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34. 正弦波导慢波结构的研究刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 提出了一种新型的可用于产生、放大毫米波和太赫兹波的正弦波导慢波结构.该结构有天然的带状电子注通道,具有低欧姆损耗和弱反射,且易于加工等独特性质.计算了慢波结构的高频特性,粒子模拟分析了该慢波...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 推导了单隔模带结构5800 MHz连续波磁控管的隔模带电容公式,仿真分析了隔模带尺寸变化对谐振频率的影响,解析分析了隔模带尺寸变化对固有品质因数的影响,最后仿真分析了5800 MHz连续波磁...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 铁电钛酸锶钡BaxSrt -xTiO3(BST)是一种拥有十分优越铁电/介电性能的材料,在可调谐微波器件方面具有很好的应用前景.本文概括介绍了BST薄膜的研究意义、基本结构、薄膜的制备方法,...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 高温超导/铁电薄膜可调谐微波器件具有高可调率、低损耗的优势,在未来智能化通信系统中有良好的应用前景.本文简介了可调谐器件的研究意义和高温超导可调谐技术比较,综述了铁电薄膜可调谐器件的研究进展...
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38. Ka波段微带线增益均衡器设计刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 本文设计出一个匹配良好的Ka波段微带线增益均衡器,驻波比在带内小于1.5.选择薄膜电阻加载的枝节谐振单元作为构成陷波器响应的基本结构.通过大量的仿真和分析,研究了谐振单元中枝节的位置、宽度和...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 采用阿基米德排水法、热机械分析、失重法和扫描电镜法研究了V2O5-P2O5 -Sb2O3 -Bi2O3体系玻璃的密度、热膨胀系数和化学稳定性.结果表明:随着Sb2O3取代部分V2O5,玻璃的...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 8 mm系列同轴磁控管已定型多年,在保证工作条件和射频性能不变的前提下实现频率捷变是提高武器作战系统性能的必然要求.本文着重阐述了8 mm捷变频磁控管捷变系统的设计与实现,研制结果表明,该捷...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 为了提高逆变电路的转换效率,本文设计并给出了一种新型的零电压双极性窄脉冲产生电路.该逆变电路包含两个反激逆变电路部分,通过控制两反激逆变电路输出脉冲的相位差可以实现对前后两次放电时间间隔的调...
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42. 用于设备控制的双核驱动智能彩屏刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 本智能彩屏终端系统采用双核控制的方式使用C语言进行软件编程,解决了目前工控领域如何快速、低成本地从单色STN/FSTN液晶屏升级到真彩色TFT液晶屏的问题.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 机载着陆灯是飞机航行必需的照明指示工具,一般选用大功率白炽灯来实现.本文提出了四种白炽灯镀膜技术方案:金属反射膜、金属介质复合反射膜、红外增透膜、荧光材料,在逐一介绍分析的基础上,进行了技术...
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44. 不锈钢-陶瓷在真空中的封接刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 介绍了不锈钢材料代替铁镍、铜镍材料和陶瓷在真空中的封接.在不锈钢封接环的应用中,重点注意封接环和过渡环的设计、焊料的选择和用量、封接环的软化处理、钎焊工艺控制、零件品质的控制.
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45. 宽脉冲大功率多注速调管刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 介绍了近期研制的X波段宽脉冲大功率栅控多注速调管的情况,该多注速调管在1.1 ms脉冲宽度下实现了130MHz内6 kW平均功率的稳定指标.本文对其结构特点也作了相应的介绍.
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46. 信息动态刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要：
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47. Mo粉与陶瓷金属化技术刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 叙述了陶瓷金属化技术的沿革和Mo粉在金属化组分中的重要性.综述了目前Mo粉存在的主要问题和改进建议.最后,介绍了本行业Mo粉的几种测试方法及其相互比较.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 分别采用传统工艺和新工艺处理了陶瓷金属化用钼粉,并利用激光粒度分析、FESEM、X射线射、金相、扫描电镜、拉伸试验、氦质谱检漏等方法研究了处理前后钼粉的粒度及其分布、颗粒形貌、松装密度、氧含...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 采用活化Mo-Mn法对镁铝尖晶石陶瓷进行了金属化封接实验,并通过对镁铝尖晶石陶瓷金属化层的显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中分布情况的分析,探讨了镁铝尖晶石陶瓷的Mo-Mn金属化机理...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 通过对陶瓷电镀件进行不同温度的热处理后,分别用Cu、Ag和AgCu28焊料与可伐和无氧铜封接.随着热处理温度的提高,发现某些封接件的封接强度及封接界面的显微结构发生了改变.综合各种因素后提出...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 对焊料与金属材料对陶瓷／金属封接强度的影响进行了初步分析与探讨.发现:用AuCu、AuNi焊料焊接陶瓷／可伐时,因为封接件的断裂模式为大量Mo-Ni分层,所以平均封接强度只有80 MPa；用...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 对氮化铝陶瓷Ti-Ag-Cu活性法焊接界面的微观结构进行了研究,对比了涂TiH2后用Ag-Cu焊接和直接用Ti-Ag-Cu合金箔焊接两种方法的焊接界面的微观结构.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 采用金相、扫描电镜、能谱等分析手段,对陶瓷-金属封接的严重缺陷——瓷件“光板”的产生原因进行了分析、探讨,并提出防止光板缺陷的措施.结果表明:焊料向金属化层的严重渗透以及金属化层玻璃相的缺少...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 介绍了衰减材料的基本原理,国内外MgO-SiC系列复合材料研究和应用现状.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 用两种不同颗粒度分布的Al2O3陶瓷粉体进行颗粒级配来制备多孔Al2O3陶瓷.通过分析测试多孔瓷的吸水率、孔径大小及分布、孔洞的形貌等技术指标,研究粉体颗粒级配对多孔Al2O3陶瓷性能的影响...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 4J33可伐材料也称铁-镍-钴合金,由于其具有与无氧铜、陶瓷材料等相近的热膨胀系数,并具有良好的真空钎焊性能,故在真空灭弧室的结构设计中多被采用,但在用银铜焊料对可伐材料进行钎焊封接时经常会...
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57. 氧化铝陶瓷干压坯体的烧结制度探讨刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 针对干压坯体烧结中常见的瓷件开裂、阴斑、机械性能下降等问题结合实践进行分析,指出干压坯体不同于热压铸坯体的烧结特点,并给出了具体的烧结曲线建议.
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58. 影响热压铸成型工艺质量的因素分析刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 主要介绍了热压铸成型工艺中的几种缺陷,结合工艺过程,分析了产生缺陷的原因,并提出了相应的改进措施.
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59. 氧化铝陶瓷低温烧结技术的探讨刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 通过对氧化铝陶瓷烧结机理、配方体系、原料加工、添加剂等影响烧结温度的素因分析,探讨氧化铝陶瓷低温烧结技术.
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60. 螺旋线行波管的夹持技术研究刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 主要介绍了螺旋线行波管螺旋线的两种夹持方法:金属管壳三角变形夹持法和绑扎金属管壳热膨胀夹持法,并对两种方法的优缺点做了比较.
真空电子技术基本信息
| 刊名 | 真空电子技术 | 主编 | 廖复疆 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 北京真空电子技术研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1002-8935 | CN | 11-2485/TN |
| 邮编 | 100015 | 电子邮箱 | VETECH@163.com |
| 电话 | 010-84352012 | 网址 | |
| 地址 | 北京749信箱7分箱 |
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