摘要:

针对4H-SiC射频大功率MESFET,建立了一个解析的陷阱效应模型,该模型采用简化参数描述方法,并结合自热效应分析,从理论上完善了SiC MESFET大信号直流I-V特性的解析模型,且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量.

摘要:

采用两线测量模式对固相烧结方法制备的Nd_（1-x）A_xMnO_3（A=Ba,Ca,Sr,x=0—0.9）陶瓷样品电脉冲诱导电阻转变（EPIR）效应和Ⅰ-V特性进行了测量.结果表明,与Nd_（0.7）Sr_（0.3）MnO_3一样,相同浓度掺杂的Nd_（0.7）Ba_（0.3）MnO_3和Nd_（0.7）Ca_（0.3）MnO_3样品也能诱发稳定的室温EPIR效应.进一步对Nd_（1-x）Sr_xMnO_3系列样品的EPIR研究表明,这种界面相关的EPIR效应与样品中电子或空穴掺杂浓度密切相关,在半掺杂（x=0.5）附近,样品与电极接触界面能诱发稳定的EPIR效应.然而,随掺杂浓度的进一步增大或降低,EPIR效应逐渐出现减弱、不明显到完全消失的过程.产生这种现象的原因可能与锰氧化物中由于掺杂浓度差异所导致的界面缺陷在不同极性脉冲激励下重新分布而产生的内电场强弱有关.

摘要:

针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,采用解析的方法建立陷阱模型,分析了陷阱效应对器件带来的影响,阐述了陷阱的陷落-发射机理,提取了时间常数、陷阱浓度等相关参数.得到的模拟结果能够较好的反映实验结果.

摘要:

针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材料的温度特性分析了温度升高对器件特性的影响.分析了陷阱对器件特性的影响,并进一步阐明了陷落-发射机制.计算得到陷阱能级为1.07eV,俘获截面为1×10-8cm2,器件的自升温达到100K以上,能够较好地反映实验结果.分析结果表明,背栅电势随陷阱浓度的增大而增大,并随着漏极电压的增大而减小,在室温下达到～3V.另外,由于器件中存在自热效应,背栅电势随漏压的变化加剧.这些模拟分析对实际器件的设计及工艺制造提供了理论上的依据.

摘要:

针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数R"ds、g"m、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既有正向偏移,也有负向偏移.偏移频率在室温下不足1Hz,但在600K的温度下则可达到MHz的量级.结合自热效应模型,论文还分析了栅、漏极偏置和温度对器件频率偏移特性的影响.模拟结果表明,随着温度的上升,偏移频段上升.本文的模拟分析对器件的设计提供了理论上的依据.