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铁电场效应晶体管的建模与模拟
铁电场效应晶体管
铁电极化
模拟
建模
一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管
隧穿
场效应晶体管
平均亚阈值斜率
隧穿势垒
表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响
石墨烯
场效应晶体管
表面粗糙
电流
氧化铟纳米线场效应晶体管制备及其电学性能
氧化铟
纳米线
场效应晶体管
迁移率
阈值电压
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 VVMOS功率场效应晶体管的设计和关键工艺
来源期刊 上海半导体 学科 工学
关键词 VVMOS 功率 场效应晶体管 设计
年,卷(期) 1989,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 40-43
页数 4页 分类号 TN386.102
字数 语种
DOI
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1989(0)
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研究主题发展历程
节点文献
VVMOS
功率
场效应晶体管
设计
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
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0
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