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Ⅲ—V族化合物半导体材料禁带宽度的温度特性
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文献信息
| 篇名 | Ⅲ—V族化合物半导体材料禁带宽度的温度特性 | ||
| 来源期刊 | 电子与自动化仪表信息 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | Ⅲ－V族化合物 半导体材料 温度特性 | ||
| 年，卷（期） | 1989,（5） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 15-18 | |
| 页数 | 4页 | 分类号 | TN304.23 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
五维指标
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1989(0)
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研究主题发展历程
节点文献
Ⅲ－V族化合物
半导体材料
温度特性
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与自动化仪表信息
主办单位：
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
CN 12-1146/TH
开本：
出版地：
天津市解放北路151号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
471
总下载数（次）
5
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