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InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响
超晶格
量子阱
离子注入
无杂质空位扩散
退火温度对InP晶体中Er3+离子的发光特性影响的研究
离子注入
光致发光
配位体
稀土元素
半导体材料
磷化铟
异质结InP/InGaAs探测器欧姆接触温度特性研究
p-InP
欧姆接触
比接触电阻
扫描电子显微镜(SEM)
X射线衍射仪(XRD)
氢离子注入法提高InAsP/InP应变多量子阱发光特性
离子注入
光致发光
量子阱互混
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 InP中的Be,P共注入及其退火特性研究
来源期刊 科技通讯(上海船厂) 学科 工学
关键词 离子注入 热退火 半导体
年,卷(期) 1989,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 14-17
页数 4页 分类号 TN304.2
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DOI
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1989(0)
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研究主题发展历程
节点文献
离子注入
热退火
半导体
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技通讯(上海船厂)
双月刊
上海市机厂路132号
出版文献量(篇)
142
总下载数(次)
0
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