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硅基锗硅驰豫衬底的外延生长
硅基锗硅薄膜
驰豫衬底
外延生长
使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究
GaN
SiNx原位淀积
拉曼
光荧光
残余应力
聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型
淀积速率
模型
聚焦离子束
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 单片RTP—CVD外延淀积技术
来源期刊 江南半导体通讯 学科 工学
关键词 外延屏 沉积 半导体器件 RTP-CVD
年,卷(期) 1992,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 42-43,50
页数 3页 分类号 TN405.986
字数 语种 中文
DOI
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引文网络
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1992(0)
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研究主题发展历程
节点文献
外延屏
沉积
半导体器件
RTP-CVD
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
江南半导体通讯
双月刊
江苏省无锡市105信箱微电子技术编辑部
出版文献量(篇)
141
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