2．7＂ a-Si TFT矩阵

• 作者: 代永平 卢桂章 周祯华 孟志国 张建军 李庄诚 熊绍珍
• 来源期刊: 液晶通讯
• 学科: 数学
• 关键词: TFT-LCD 有源层 显示效果 液晶材料 元件 准静态 矩阵 连续 数量级 气体
• 年，卷（期）: 1993,（3）
• 页码范围: 88-93
• 页数: 6页
• 分类号: O151

摘要

本文报导了a-Si TFT矩阵的制备及其性能。TFT的有源层是在一高真空低漏气体的分室连续沉积PECVE系统中制备而得，本文详细研究了漏气体与换气体对TFT的关态电流的影响。在目前水平下可使Ioll，(V0=-5V)降至10^10A的数量级。本文同时研究了提高开态电流的若干途径及实验结果。为获得高性能参数啊矩阵，I层及其与SiNx绝缘层的界面是至关重要的。所研究矩阵含196×144个元件，该TFT的宽长比(W/L)为10：1。我们组装了a-Si TFT-LCD样品，采用的是常规TN型液晶材料，驱动方式采用准静态驱动，用计算机控制该类AM-LCD的显示动作，可得到良好的显示效果。