后续热处理配合PLD制备铁电PZT薄膜及其工艺优化研究

• 作者: 许华平 郑立荣
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: PLD 半导体集成电路 快速热退火 铁电PZT薄膜
• 年，卷（期）: 1996,（1）
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: TN384

摘要

利用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积工艺在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制行了Ｐｂ（Ｚｒ５２Ｔｉ４８）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜。并用Ｘ射线衍射分析方法研究了不同后续热处理对薄膜相组成和相结构转变的影响。