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推荐文章
一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构
氮化镓(GaN)
高电子迁移率晶体管(HEMT)
沟道温度
混合势垒层
GaN薄膜表面缺陷密度的提取
氮化镓薄膜
缺陷
密度提取
二值化
数学形态学
一种S波段宽带GaN放大器的设计
GaN
平坦度
仿真设计
宽禁带
半导体
功率放大器
脉冲激光沉积系统(PLD)的应用——制备GaN薄膜
脉冲激光沉积系统
GaN材料
薄膜材料
沉积温度
沉积气压
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 用一种新氮源制造GaN薄膜
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 GAN薄膜 制造 半导体材料
年,卷(期) 1996,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 10
页数 1页 分类号 TN304.23
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1996(0)
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研究主题发展历程
节点文献
GAN薄膜
制造
半导体材料
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研究来源
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电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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