64M DRAM耐回流焊模封树脂技术的开发

• 作者: 郝福申
• 来源期刊: 计算机与信息处理标准化
• 学科: 工学
• 关键词: 耐回流焊 模封树脂 DRAM 存储器
• 年，卷（期）: jsjyxxclbzh_1997,（4）
• 页码范围: 49-51
• 页数: 3页
• 分类号: TP333.05

摘要

表面组装型ＬＳＩ在封装中遇到的一个重要问题是回流焊封装裂纹现象。随着ＬＳＩ高集成度以及半导体芯片面积相应增大，它们都导致了回流时应力增加而引起裂纹。在开发适用于高６４Ｍ ＤＲＡＭ的模封树脂时，为了降低上述应力，以往采取的两种方法：一是增强紧密性接触；二是降低吸湿性。然而运用这些方法又担心产生以下两个新的问题，一是在高温贮存条件下可能降低产品性能；第二可能降低成形性能。