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使用SiCl4通过RPECVD法制备的SiOxNy薄膜
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文献信息
| 篇名 | 使用SiCl4通过RPECVD法制备的SiOxNy薄膜 | ||
| 来源期刊 | 等离子体应用技术快报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | RPECVD 氮氧化硅 硅源 薄膜制备 四氯化硅 | ||
| 年，卷（期） | 1997,（6） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 4-5 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TB43 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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RPECVD
氮氧化硅
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薄膜制备
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期刊影响力
等离子体应用技术快报
主办单位：
核工业西南物理研究院
出版周期：
月刊
ISSN：
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开本：
出版地：
四川省成都市432信箱
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创刊时间：
语种：
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864
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