计算半导体掺杂缺陷的几种方法

• 作者: 张跃
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: 密度泛函 格林函数 半导体材料 掺杂
• 年，卷（期）: 1998,（1）
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3

摘要

本文介绍了计算缺陷半导体电子结构的几种主要方法，指出了：对于一般精确度要求高的半导体缺陷的计算，应当考虑Ｊａｈｎ－Ｔｅｌｌｅｒ畸变和晶体弛豫效应等缺陷引起的误差。