PSG膜中含磷量对晶体管放大倍数的影响

• 作者: 戴文战 陈杰
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: PSG膜 LPCVD 磷含量 放大倍数 集成电路
• 年，卷（期）: bdtzz_1998,（4）
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN405

摘要

本文研究了以低压化学气相淀积方法生长 磷的一中ＰＮＰ管放大倍数的影响。给出了民实验数据，得到一个为适用于集成电路中横向ＰＮＰ管钝化膜的最佳工艺数据，在这种工艺条件下，得到ＰＳＧ膜中含磷量为４Ｗｔ．％。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴文战	杭州商学院信电系	10	447	6.0	10.0
2	陈杰		5	62	3.0	5.0