杂质SI对INAS自组织量子点均匀性的影响

• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 自组织量子点 PL 硅掺杂 INAS/GAAS
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 页码范围: 423-426
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 语种: 中文

摘要

研究了较低掺杂浓度时InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响.光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄.该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的小量子点.该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有一定的意义.