共沉淀法制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3陶瓷的研究

• 作者: 沈悦 王树棠 阮素香 顾峰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 共沉淀法 烧结特性 钽镁酸钡陶瓷
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 9-10
• 分类号: TM281+.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.1999.05.004

摘要

对用化学共沉淀法制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)陶瓷及其烧结特性进行了研究.结果表明其烧结温度比用传统方法降低了180～250℃.在1 400℃时获得了致密的陶瓷,其体积密度达理论密度的96%,晶粒排列紧密,介电特性:Q×f=65 000 GHz,εr=23～25,在f=10 GHz,t=-20～+60℃时τf=(0～3)×10-6℃-1.