InAsP/InGaP应变补偿量子阱的研究进展

• 作者: 安海岩 李明涛 杜国同 杨树人 殷景志 王新强
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 应变补偿 量子阱 失配 位错 InAsP/InGaP
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 212-215
• 页数: 4页
• 分类号: TN256|TN305
• 字数: 3281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2000.02.031

摘要

本文概述了近年来InAsP/InGaP应变补偿量子阱的研究与进展,从材料结构、界面质量、器件、存在问题及应用前景等方面对其进行了较为详细的叙述.界面质量的研究表明,InP薄层的引入有助于改善界面的质量,提高器件的性能,不失为继续研究的方向.