在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜

• 作者: 林成鲁 汤洪高 温军 王玉霞 王连卫 郭震 黄继颇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 激光淀积 α-SiC薄膜
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 570-575
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 3098字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.06.009

摘要

报道用脉冲ArF激光烧蚀SiC陶瓷靶,在800℃Si(111)衬底上淀积SiC薄膜,再经920℃真空(10-3Pa)退火处理,制备出晶态α-SiC薄膜.用FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等.结果表明,在920℃较低温度下,SiC薄膜经非晶核化--长大过程,生成了晶态α-SiC(0001)∥Si(111)高度定向外延膜,薄膜内C/Si比约为1.01.表面有污染C及少量氧化态Si和C.室温下用280nm光激发薄膜,在341nm处有较强发光峰,半峰宽45nm,显示出较好的短波发光性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王连卫	中国科学院上海冶金研究所	11	156	4.0	11.0
2	黄继颇	中国科学院上海冶金研究所	5	146	4.0	5.0
3	林成鲁	中国科学院上海冶金研究所	44	595	15.0	23.0
4	汤洪高	中国科学技术大学材料科学系	20	254	8.0	15.0
5	王玉霞	中国科学技术大学材料科学系	18	138	5.0	11.0
6	温军	中国科学技术大学材料科学系	7	123	6.0	7.0
7	郭震	中国科学技术大学材料科学系	4	25	2.0	4.0