SiC单片集成电路工艺技术

• 作者: 彭军 王剑屏 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅集成电路 异质外延 界面态
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 228-232
• 页数: 5页
• 分类号: TN47
• 字数: 5480字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2000.02.022

摘要

对宽禁带半导体材料碳化硅的异质外延技术以及碳化硅集成电路单项工艺技术进行了讨论,比较了不同的工艺对集成电路制造的影响.介绍了工作于5 V电压下的碳化硅数字互补型金属氧化物半导体集成电路工艺技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	王剑屏	西安电子科技大学微电子所	7	48	3.0	6.0
3	彭军	西安电子科技大学微电子所	10	97	3.0	9.0