一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究

• 作者: 伊福廷 刘泽文 刘理天 李志坚
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: X射线 光刻 LIGA MEMS 掩模
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 45-49
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7|TP271+.4
• 字数: 1974字
• 语种: 中文

摘要

深X射线光刻是制作高深宽比MEMS结构的一个重要方法.提出一种基于硅工艺和双面对准技术的LIGA掩模技术,工艺十分简单.采用该掩模,可进一步解决深X射线光刻中的重复对准多次曝光问题.给出了该掩模设计制作工艺过程及深X射线光刻结果.整个过程包括沉淀氮化硅、采用KarlSuss双面对准曝光机进行UV光刻、电化学淀积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑膜等.利用该掩模在北京BEPC的X射线光刻光束线上进行曝光,获得了满意结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	刘泽文	清华大学微电子学研究所	50	169	7.0	10.0
3	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0