低温下多孔硅电学性质研究

• 作者: 李永放 郭芳侠 钞曦旭 马丽珍
• 来源期刊: 陕西师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 低温 多孔硅 I-U特性
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: O513
• 字数: 1404字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1672-4291.2000.04.011

摘要

在低温下(10～300 K)对多孔硅(Al／多孔硅／单晶硅结构)的I-U特性进行了测量,得到了I-U特性随温度的变化曲线．结果表明，低温下多孔硅的电阻率远大于单晶硅，当温度变化时，电阻率的变化不是单调的．其原因一是电流的主要输运机制随温度的降低发生变化；二是多孔硅中的缺陷态俘获载流子的能力随温度降低而变弱．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李永放	陕西师范大学物理学与信息技术学院	63	136	6.0	8.0
2	郭芳侠	陕西师范大学物理学与信息技术学院	50	76	5.0	6.0
3	钞曦旭	陕西师范大学物理学与信息技术学院	7	26	3.0	5.0
4	马丽珍	青岛海洋大学物理学系	1	3	1.0	1.0