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替代碳
Ge+注入Si1-x Gex/Si异质结的退火行为
离子注入
Si1-xGex/Si异质结
退火行为
X射线衍射
用固相外延方法制备Si1-x-yGexCy三元材料
Si1-x-yGexCy材料
固相外延
Si基热氧化Si1-x-yGexCy薄膜的室温光致发光特性
Si1-x-yGexCy薄膜
湿氧氧化
室温光致发光
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Si基富Ge含量Si1-x-yGexCy异质结构的热退火行为研究
来源期刊 高技术通讯 学科
关键词
年,卷(期) 2000,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 32
页数 4页 分类号
字数 3197字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1002-0470.2000.10.008
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相关学者/机构
期刊影响力
高技术通讯
月刊
1002-0470
11-2770/N
大16开
北京市三里河路54号
82-516
1991
chi
出版文献量(篇)
5099
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14
总被引数(次)
39217
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