离子注入和固相外延制备Si1-x-yGexCy半导体薄膜

• 作者: 刘雪芹 张静 杨映虎 王印月 甄聪棉 郭永平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si1-x-yGexCy薄膜 离子注入 固相外延
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2340-2343
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.10.033

摘要

用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)生长了200nm的SiGe薄膜,然后将C离子注入SiGe层,经两步热退火处理制备了Si1-x-yGexCy三元合金半导体薄膜.应用卢瑟福背散射(RBS),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和高分辨率x射线衍射(HRXRD)研究了薄膜的结构和外延特性.发现C原子基本处于替代位置,C原子的掺入缓解了SiGe层的压应变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张静	兰州大学物理系	112	325	9.0	13.0
2	王印月	兰州大学物理系	39	567	15.0	23.0
3	刘雪芹	兰州大学物理系	19	195	8.0	13.0
4	甄聪棉	兰州大学物理系	8	89	4.0	8.0
5	杨映虎	兰州大学物理系	13	137	7.0	11.0
6	郭永平	兰州大学物理系	1	0	0.0	0.0