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摘要:
利用分子束外延技术和Stranski-Krastanow生长模式,系统研究了In(Ga)As/GaAs, InAlAs/AlGaAs/GaAs,In(Ga)As/InAlAs/InP材料体系应变自组装量子点的形成和演化.通过调节实验条件,可以对量子点的空间排列及有序性进行控制,并实现了InP衬底上量子点向量子线的渡越.研制出激射波长λ=960 nm,条宽100 μm,腔长800 μm 的InAs/GaAs量子点激光器,室温连续输出功率大于1 W,室温阈值电流密度218 A/cm2,0.53 W室温连续工作寿命超过3 000 h.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 自组装InAs/GaAs量子点材料和量子点激光器
来源期刊 中国科学A辑 学科 物理学
关键词 量子点 空间有序 量子点激光器
年,卷(期) 2000,(7) 所属期刊栏目 物理学
研究方向 页码范围 644-652
页数 9页 分类号 O4
字数 6263字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1006-9232.2000.07.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐波 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 92 929 15.0 27.0
2 刘峰奇 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 25 171 8.0 12.0
3 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 101 701 15.0 23.0
4 梁基本 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 3 32 2.0 3.0
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中国科学(数学)
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1674-7216
11-5836/O1
北京东黄城根北街16号
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