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温度和电场对a-SiC; H TFLED发光亮度的影响
温度和电场对a-SiC; H TFLED发光亮度的影响
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摘要：
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γ射线辐照对a-SiC:H薄膜结构与特性的影响
a-SiC:H薄膜
γ射线辐照
Raman与IR光谱
结晶
红外透过率
利用SiC电致发光特性在线测量防晕层表面电场分布
SiC防晕涂层
电致发光
电场分布
在线测量
a-SiC:H薄膜的中子辐照研究
a-SiC:H薄膜
中子辐照
非晶碳
石墨化
H3BO3对微波加热法合成Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料性能的影响
长余辉
Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+
微波加热法
H3BO3
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半导体光电
主办单位：
重庆光电技术研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
开本：
大16开
出版地：
重庆市南坪花园路14号44所内
邮发代号：
创刊时间：
1976
语种：
chi
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
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22967
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