InGaAsP/InP超辐射集成光源

• 作者: 刘杨 刘琨 姜秀英 宋俊峰 康博南 杜国同 殷景志
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 超辐射发光管 半导体光放大器 单片集成
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 397-400
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 1722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2000.05.003

摘要

为提高半导体超辐射器件的输出功率,采用直接耦合的方法,将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成,制得了1.3 μm超辐射集成光源,其脉冲输出功率为50 mW,光谱宽度(FWHM)为28.9 nm.通过对放大器增益特性的讨论,得出了既能稳定器件性能,又可以提高输出功率的有效工作方案.