Hg1-xMnxTe晶体的生长及电学性能

• 作者: 介万奇 刘晓华 李宇杰
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 工学
• 关键词: Hg1-xMnxTe 宏观质量评价 微观质量评价 低温退火 Hall电测量
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 373-378
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 2847字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3093.2000.04.008

摘要

利用ACRT-VBM法生长Hg1-xMnxTe晶体,并对所得晶体作出宏观和微观质量评价.为改善晶体的电学性质,将生长态的晶体在低温下长时间退火,实现了晶片的反型. Hall电测量的结果表明位错的数量、分布及富Te相、晶界、杂质等的存在都对晶体的电学性质有显著的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	李宇杰	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	5	12	2.0	3.0
3	刘晓华	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	3	2	1.0	1.0