软X射线发射光谱法研究过渡金属硅化物的价电子能带结构

• 作者: 王天民 王金良
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 软X射线发射光谱法 锰硅化物 价电子态密度 Si-L23和Si-Kβ价带发射谱
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 754-759
• 页数: 6页
• 分类号: O471.5
• 字数: 4826字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.08.005

摘要

用软X射线发射光谱法对MnSi、MnSi1.7这两种组成的过渡金属锰硅化物的价电子能带构造进行了研究.首先在硅表面上形成了MnSi、MnSi1.7单一相薄膜,并用X射线衍射谱得到证实.然后测量了这两种锰硅化物的软X射线发射光谱Si-Kβ发射光谱和Si-L2,3发射光谱,Si-Kβ发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的Si-p部分电子态密度,而Si-L2,3发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的Si-s,d部分电子态密度.MnSi、MnSi1.7的Si-L2,3发射光谱具有不同的形状.这些不同形状的原因,对比着这两种硅化物的晶体结构和价电子的能带结构进行了分析与讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王天民	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心	140	1545	22.0	32.0
2	王金良	北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心	24	125	7.0	10.0