FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究

• 作者: 于宗光 叶守银 张国华 徐征 王万业 许居衍 黄卫
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: EEPROM 隧道氧化层 陷阱俘获电荷 耐久性 擦写 阈值电压 电场
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 68-70,67
• 页数: 4页
• 分类号: TP333.5+2
• 字数: 3702字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.05.019

摘要

本文首先从理论上分析FLOTOX EEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOX EEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象.对于低的擦写电压,擦除阈值减少,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷;对于高的擦写电压,擦除阈值增加,产生了正陷阱俘获电荷.这一结果与SiO2中电荷的俘获--解俘获动态模型相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光		7	99	5.0	7.0
2	徐征		2	13	2.0	2.0
3	叶守银		2	13	2.0	2.0
4	黄卫		2	13	2.0	2.0
5	王万业		2	13	2.0	2.0
6	许居衍		3	25	3.0	3.0
7	张国华		2	10	2.0	2.0