浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究

• 作者: 于宗光 叶守银 徐征 王万业 许居衍 陆锋 黄卫
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: EEPROM 浮栅 隧道氧化层 电荷 泄漏
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 90-91,70,95
• 页数: 3页
• 分类号: TP343
• 字数: 2027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.05.025

摘要

本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理,并提出了改进EEPROM保持特性的措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光		7	99	5.0	7.0
2	陆锋		1	7	1.0	1.0
3	徐征		2	13	2.0	2.0
4	叶守银		2	13	2.0	2.0
5	黄卫		2	13	2.0	2.0
6	王万业		2	13	2.0	2.0
7	许居衍		3	25	3.0	3.0